Produkte > RN2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2308,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2308,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2308,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2308,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2308,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2308TE85L(YI) | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2309 | TOSHIBA | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2309(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2309,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2309,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2309,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2309,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2309,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 47kO, 22kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2309,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2309,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310 | TOSHIBA | SOT-323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310 LXHF | Toshiba | SOT323 50V PNP BRT TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased USM PLN TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310,LF(B | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LF(B | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LF(B | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LF(B | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2310,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2310,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2310,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2310,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2311 | TOSHIBA | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2311(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2311(YA) | TOSHIBA | SOT23 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2311(YM) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2311,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2311,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2311,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2311,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2311,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 10kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2311,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2311,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2311-(TE85L) | auf Bestellung 3699 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2311TE85L(YM) | auf Bestellung 8180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2311TE85R(YM) | auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2312(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2313(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 47Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2313,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2313,LF | Toshiba | Digital Transistors BRT -0.1A -50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2313,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2313LF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2314(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 1.0K x 10Kohms | auf Bestellung 2694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2315 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2315(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 11720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2315TE85LF | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | auf Bestellung 4150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm 10kohm 0.1A SOT-323 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2316,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2316,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2316,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP BRT, Q1BSR=4.7 | auf Bestellung 5300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2316,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 4.7kO, 10kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2316,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP BRT, Q1BSR=4.7 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2316,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2316,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2317(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2317A(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2756 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2318(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 47K x 10Kohms | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN232-0.6-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CHOKE COMPENSATED 47MH 0.6A VERT | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN232-0.6-02-47M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.6A 47mH 1300mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN232-0.6-02-47M | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 47MH 600MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 600mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.3Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 47 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN232-1-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CHOKE COMPENSATED 18MH 1A VERT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN232-1-02-18M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 18MH 1A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1A DC Resistance (DCR) (Max): 390mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 18 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
