Produkte > BC8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2016000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2307000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2415000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1017000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1626000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1284000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2319000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1683000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2754000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1944000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2010000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2409000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 483000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2457000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1623000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1683000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2112000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1485000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2526000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1908000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2016000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2307000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2427000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1569000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1629000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2535000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1422000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...200MHz Application: automotive industry Manufacturer standard package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2358000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1734000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 151933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2787000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2004000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2010000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3 | auf Bestellung 17223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BQB/SOT8015/DFN1110D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2273 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 29985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 29985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 29985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQCZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW | auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQCZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 450mW Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BQCZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BQC/SOT8009/DFN1412D-3 | auf Bestellung 3731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS | Yangjie Electronic Technology | Dual PNP Small Signal Transistor | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS | Yangjie Technology | Description: SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BS | Nexperia | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC856BS | NXP | 2xPNP 100mA 65V 300mW 100MHz BC856BS.115 BC856BS _R1 _00001 BC856BS_ R2 _00001 BC856BS,135 BC856BS-TP BC856BS TBC856bs Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC88,SOT363,TSSOP6 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | auf Bestellung 3236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BS/SOT363/SC-88 | auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 11 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 Transistor Produktcode: 201232
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 900000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BS,135 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC88,SOT363,TSSOP6 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BS/SOT363/SC-88 | auf Bestellung 6162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BS,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856BS,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
