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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMDT4401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 99510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4401_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4401_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4401_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4401_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
596+0.36 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
987+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 987 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.9 EUR
376+0.62 EUR
596+0.36 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
987+0.19 EUR
1158+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 987 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT -40V 200mW
auf Bestellung 4329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 127788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT -600mA -40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4403_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 200MW 600MA NPN+PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 200MW 600MA NPN+PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 4259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-Fonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 5660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1873+0.095 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1873 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 5660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1873+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 1873 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40 / 40V 200mW
auf Bestellung 35297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN&PNP Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MMDT4413K13
auf Bestellung 2798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 13985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
104+0.2 EUR
169+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
auf Bestellung 6871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.63 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT4413_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5111WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5111WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5111W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1163+0.2 EUR
1401+0.15 EUR
1761+0.12 EUR
2005+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5111W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5111W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5111W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
953+0.24 EUR
1141+0.19 EUR
1419+0.15 EUR
1637+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5112WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5112W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
893+0.29 EUR
1250+0.19 EUR
1491+0.14 EUR
1877+0.11 EUR
2156+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5112WDiotec SemiconductorDescription: DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5112WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5114WDComponentsDescription: DI Trst. 50V, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5114WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5114W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1163+0.2 EUR
1386+0.15 EUR
1737+0.12 EUR
2005+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5114W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5114W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.51 EUR
603+0.38 EUR
1429+0.15 EUR
1832+0.12 EUR
2321+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5114W-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Biased BJT, SOT-323, PNP, 10k?, 47k?, 50V, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5210WDiotec SemiconductorDigital Transistors SOT-323, NPN, 47k, 0k, 50V, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5210WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 47kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Current gain: 160...460
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5210W-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors SOT-323, NPN, 47k, 0k, 50V, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5210W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 47kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Current gain: 160...460
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5211WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5211WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5211W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1129+0.2 EUR
1352+0.15 EUR
1687+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5212WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5213WTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN digital trans 10/4.7kohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5213WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5213W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.26 EUR
1308+0.18 EUR
1573+0.13 EUR
1973+0.11 EUR
2238+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5213WDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-323, 50V, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5213WDiotec SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5213W-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-323, 50V, 100mA, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5213W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5213W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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834+0.3 EUR
1063+0.21 EUR
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2005+0.11 EUR
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MMDT5214WTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN digital trans 4.7/4.7kohm
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MMDT5214WDiotec SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMDT5214WDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-323, 50V, 100mA
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MMDT5214WDiotec SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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MMDT5214WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5214W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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971+0.26 EUR
1308+0.18 EUR
1573+0.13 EUR
1973+0.11 EUR
2238+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5214W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5214W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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971+0.26 EUR
1337+0.18 EUR
1593+0.13 EUR
2005+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
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MMDT521LWDiotec SemiconductorDigital Transistors BIASED BJT, SOT-323, NPN, 4.7K
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15+0.2 EUR
21+0.14 EUR
100+0.12 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.063 EUR
9000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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MMDT5401LITEON
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401onsemiBipolar Transistors - BJT
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MMDT5401GOODWORKDescription: PNP600mA 150V 300mW SOT-363
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
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MMDT5401-7
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 10250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
51+0.42 EUR
59+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDIODES/ZETEXTransistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C; MMDT5401-7-F TMMDT5401-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT -150V 200mW
auf Bestellung 10795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.094 EUR
15000+0.092 EUR
21000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.087 EUR
21000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5401-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT -200mA -150V
Produkt ist nicht verfügbar
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MMDT5401.
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH