MMDT4413-7-F Diodes Zetex
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Technische Details MMDT4413-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMDT4413-7-F nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 5640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 40 / 40V 200mW |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| MMDT4413-7-F |
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| MMDT4413-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
MMDT4413-7-F Complementary transistors |
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MMDT4413-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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