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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI12345ZIP20
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1234DY
auf Bestellung 75000 Stücke:
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SI1234DY-T1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1234DY-T1-E3
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si124Teledyne FLIRThermal Imaging Cameras Si124 Industrial Ultrasound Imaging camera
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si124-LDTeledyne FLIRThermal Imaging Cameras Si124 Industrial Ultrasound Leak Detection Imaging camera
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si124-PDTeledyne FLIRThermal Imaging Cameras Si124 Industrial Ultrasound Partial Discharge Imaging camera
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI125-220
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI125P06L-TPMicro Commercial Components (MCC)
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI127-220M
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1284-01ST
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI12C2 NPN NOAECO SRLПромислова автоматизація
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI13-0D
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1300BDL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixSC-70-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1300DL-T1VISHAYSOT-323
auf Bestellung 4190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1301DL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1301DL-T1SI00+ SOT-70
auf Bestellung 39999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DLVISHAY
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1VISHAY
auf Bestellung 128900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1 SOT323-KAVISHAY
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 N CHAN 30V
auf Bestellung 20643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
26+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
274+0.84 EUR
424+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A
auf Bestellung 46004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
274+0.84 EUR
424+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-E3 SOT323-KAM PB-FREEVISHAY
auf Bestellung 36200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
524+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.64 EUR
152+0.56 EUR
167+0.51 EUR
253+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.54 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
26+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
524+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1SOT323-KA
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-TISI03+ SOT-23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DWFVishaySI1302 (TNHM30) DIE IN WAFER FORM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DLVISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1403CDL-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1VISHAY
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1403CDL-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1403CDL-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T3Vishay / SiliconixMOSFET 2.5V P-CH (G-S) TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303DL-T3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1303EDL-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.72A
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SI1303EDL-T1
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SI1303EDL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.72A
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SI1303EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
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SI1303EDL-T3Vishay / SiliconixMOSFET 20V P-CH, 2.5V RATED TRENCH
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SI1304BD
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SI1304BDL
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SI1304BDL
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI1304BDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOD-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI1304BDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOD-323
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
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SI1304BDL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1308EDL-T1-GE3
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SI1304BDL-T1-E3
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SI1304BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
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SI1304BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
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SI1304BDL-T1-E3Vishay SiliconixSC-70 Транзистори
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SI1304BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
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Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
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SI1304BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
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SI1304DLVISHAY
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SI1304DL-T1VISHAYSOT-323
auf Bestellung 13721 Stücke:
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SI1304DL-T1-E3VISHAY05NOPB
auf Bestellung 5899 Stücke:
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SI1304DL-T1/
auf Bestellung 21000 Stücke:
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SI1304DL-T1/K8S
auf Bestellung 21000 Stücke:
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SI1305VISHAY06+ SOT-323
auf Bestellung 39333 Stücke:
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SI1305DLVISHAY09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
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SI1305DL-TVISHAY2004
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SI1305DL-T1VISHAYSOT-323
auf Bestellung 27540 Stücke:
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SI1305DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1305DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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SI1305DL-T1-E3VISHAYSOT323
auf Bestellung 20900 Stücke:
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SI1305DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
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SI1305DL-T1/LBOVISHAY
auf Bestellung 102200 Stücke:
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SI1305DL-TI-E3
auf Bestellung 902 Stücke:
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SI1305EDL
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI1305EDL-T1SI
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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