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BC857BFA-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC857BFZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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10+1.2 EUR
100+0.76 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BC857BFZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC857BFZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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148+1.57 EUR
233+0.93 EUR
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BC857BFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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