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BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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1368+0.13 EUR
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC857BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
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11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC857BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
106+0.2 EUR
172+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 ROHM bc857bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
910+0.25 EUR
1217+0.18 EUR
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 ROHM bc857bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.54 EUR
910+0.25 EUR
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BHZGT116 datasheet?p=BC857BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
auf Bestellung 4830 Stücke:
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11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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106+0.2 EUR
172+0.12 EUR
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BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
472+0.54 EUR
910+0.25 EUR
1217+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.54 EUR
910+0.25 EUR
1217+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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