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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMDT5551_R1_00701PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, 160 V, 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
262+0.88 EUR
409+0.52 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
auf Bestellung 1036436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
auf Bestellung 5920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.62 EUR
100+0.44 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
262+0.88 EUR
409+0.52 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1280mW 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA06-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
auf Bestellung 1032000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
30000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DWDiotec SemiconductorDescription: BIASED BJT SOT-363 PNP 10000OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA141DW-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Biased BJT, SOT-363, PNP, 10k?, 10k?, 60V, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 300V 500MA SOT-26
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
75000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA42-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 300 V, 500 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 50MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 300V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
585+0.39 EUR
1120+0.19 EUR
1181+0.18 EUR
1249+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
auf Bestellung 16953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 300V 500MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-26
auf Bestellung 116329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTA42-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA42-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 300 V, 500 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 50MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 300V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
585+0.39 EUR
1120+0.19 EUR
1181+0.18 EUR
1249+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-523, 50V, 30mA, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQDiotec SemiconductorDescription: BIASED BJT SOT-523 NPN 22000OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
4000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.03A; 150mW; SOT523; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2025+0.042 EUR
2250+0.038 EUR
2525+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 2025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC124EE-AQ-SCDiotec Semiconductor SOT-523, NPN, 22k, 22k, 50V, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC143HPDiotec SemiconductorDigital Transistors DFN1006-3, NPN, 4k7, 47k, 50V, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC907DW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDTC907DW-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors SOT-363, NPN, 10k, 47k, 50V, 150C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDZ5221B-71206-2.4V-C1DIODES
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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