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MMDTA06-7

MMDTA06-7 Diodes Incorporated

MMDTA06.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
auf Bestellung 1032000 Stücke:
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Technische Details MMDTA06-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 900mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMDTA06-7 MMDTA06-7 Diodes Incorporated MMDTA06.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
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MMDTA06-7 MMDTA06-7 Diodes Incorporated MMDTA06.pdf Description: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
auf Bestellung 1036436 Stücke:
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17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
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MMDTA06-7 MMDTA06-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001069660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
262+0.88 EUR
409+0.52 EUR
585+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
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MMDTA06-7 MMDTA06-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001069660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
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Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
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Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
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MMDTA06-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
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Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
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Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
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MMDTA06-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2610 Stücke:
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164+1.52 EUR
262+0.88 EUR
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