Produkte > 1N5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| 1N5625 Produktcode: 181539
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Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| 1N5625 BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 400V 3.0A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625 TR | Central Semiconductor | Rectifiers 5.0A Glass 400Vrrm 400Vr 280Vrms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625 TR PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 5.0A Glass 400Vrrm 400Vr 280Vrms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 5.0A Glass 400Vrrm 400Vr 280Vrms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5625-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, Avalanche-Diode, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 7.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 7.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 19533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 4566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5625-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, Avalanche-Diode, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 7.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 7.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 26505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | auf Bestellung 3476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 19533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 7.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 60pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 18A Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 7.5µs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt | auf Bestellung 17228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5625-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 7500ns 2-Pin SOD-64 Ammo | auf Bestellung 27060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 13810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt | auf Bestellung 8699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 13810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 2672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | auf Bestellung 6488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625-TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 10117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5625GP AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 125A; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 125A Case: DO27; DO201AD Max. forward voltage: 1V Max. load current: 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625GP TR | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; reel; Ifsm: 125A; DO201AD,DO27 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel Max. forward impulse current: 125A Case: DO27; DO201AD Max. forward voltage: 1V Max. load current: 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5625GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 1N56 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626 | EIC | Diode Si 400V 3A 2-Pin Case D-2A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626 | EIC | Diode Si 400V 3A 2-Pin Case D-2A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626 | NTE Electronics, Inc | Description: R-600 PRV 3A | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626 BK PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 600V 3.0A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-64 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: SOD-64, Axial Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5626-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt | auf Bestellung 7572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5626-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-64 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: SOD-64, Axial Packaging: Tape & Box (TB) | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5626-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626-TR | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5626-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | auf Bestellung 4852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5626-TR | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5626-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 1N56 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626-TR | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5626GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627 Produktcode: 80102
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Lieblingsprodukt
| Vishay | Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden Gehäuse: SOD-64 Urev., V: 800 V Iausr., A: 3 A Montage: THT Spannungsabfall Vf: 1 V | Produkt ist nicht verfügbar
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| 1N5627 | NTE Electronics, Inc | Description: R-800 PRV 3A | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627 | EIC | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627 BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 800V 3.0A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627 TR PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 5.0A Glass Pass Rec 800Vrrm 800Vr 3.0A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5627-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt | auf Bestellung 23039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5627-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | auf Bestellung 3641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5627-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5627-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 7500ns 2-Pin SOD-64 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt | auf Bestellung 11389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 1N5627-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 7500ns 2-Pin SOD-64 T/R | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5627GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5627GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629 | Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629 | Microchip Technology | ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ DO-13 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629 | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 139A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.12V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.8V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A | Microchip Technology | TVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5629A | Microchip Technology | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 10.5V 143A Uni-Directional TVS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A | MICROSEMI | DO13/1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N5629 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A | Microchip Technology | TVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A | Microchip Technology | TVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1N5629A | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V Supplier Device Package: DO-13 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.45V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A | Sensitron Semiconductors | 1N5629A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A/TR | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V Supplier Device Package: DO-13 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.45V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629A/TR | Microchip Technology | ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ DO-13 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629Ae3 | Microchip Technology | ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ DO-13 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5629Ae3 | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.45V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630 | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC DO13 Voltage - Breakdown (Min): 6.75V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.05V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 128A Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.7V Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial Packaging: Bulk Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Type: Zener Mounting Type: Through Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630 | Microchip Technology | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11.7V 128A Uni-Directional TVS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A | Microchip Technology | TVS Diode Single Uni-Dir 6.4V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A | Microchip Technology | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11.3V 132A Uni-Directional TVS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A | Sensitron Semiconductors | 1N5630A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A | MICROSEMI | DO13/1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 1N5630 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13 Voltage - Breakdown (Min): 7.13V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-13 Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.4V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 132A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-13 Packaging: Bulk Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A/TR | Microchip Technology | Description: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13 Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V Voltage - Breakdown (Min): 7.13V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-13 Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.4V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 132A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-13 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5630A/TR | Microchip Technology | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11.3V 132A Uni-Directional TVS TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5631 | Microchip Technology | ESD Suppressors / TVS Diodes TVS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 1N5631 | Microchip Technology | TVS Diode Single Uni-Dir 6.63V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
