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1N5624-TR

1N5624-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n5624.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
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Technische Details 1N5624-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; 10 inch reel; Ifsm: 100A; SOD64, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 3A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Capacitance: 60pF, Kind of package: 10 inch reel, Max. forward impulse current: 100A, Case: SOD64, Max. forward voltage: 1V, Max. load current: 18A, Leakage current: 10µA, Reverse recovery time: 7.5µs, Quantity in set/package: 2500pcs..

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
1N5624-TR 1N5624-TR VISHAY 1n5624_7.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; 10 inch reel; Ifsm: 100A; SOD64
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 60pF
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 100A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 18A
Leakage current: 10µA
Reverse recovery time: 7.5µs
Quantity in set/package: 2500pcs.
auf Bestellung 994 Stücke:
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99+0.87 EUR
113+0.75 EUR
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1N5624-TR 1N5624-TR Vishay doc86063.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R
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1N5624-TR 1N5624-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5624.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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1N5624-TR 1N5624-TR Vishay doc86063.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R
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1N5624-TR 1N5624-TR Vishay Semiconductors 1n5624.pdf Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt
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Hersteller: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; 10 inch reel; Ifsm: 100A; SOD64
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 60pF
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 100A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 18A
Leakage current: 10µA
Reverse recovery time: 7.5µs
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Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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