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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|
| JANS2N918UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 0.05A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW Qualification: MIL-PRF-19500/301 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N918UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 50mA 200mW NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N918UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N918UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 0.05A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW Qualification: MIL-PRF-19500/301 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N930 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Qualification: MIL-PRF-19500/253 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N930UB | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANS2N930UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218A | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218AL | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.8W Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2218AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219A | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219AL | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.8W Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2219AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUA/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2221AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2222AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AU | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Dual - Small-Signal BJT SQ SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AU/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Dual - Small-Signal BJT SQ SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Small-Signal BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUA/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2369AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AL | Microchip Technology | Microchip Technology RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2906AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Tray Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907A/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N2907AUBC/TR | Microchip Technology | Microchip Technology | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N3019 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N3019 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N3019 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 0.8W Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N3019S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW RH Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N3019S | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANSD2N3019S | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |