Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP9240 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP9240 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP9240 | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 TIRFP9240 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240 | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 12A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 JSMICRO TIRFP9240 JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240 | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 TIRFP9240 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240 | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 12A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 JSMICRO TIRFP9240 JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP9240PBF Produktcode: 24069
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/38 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP9240PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm | auf Bestellung 4577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 200V 12A P-CH MOSFET | auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF (TO-247AC, Vishay) Produktcode: 148843
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Vishay | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В Drain-Strom Id, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 40 St.
|
| ||||||||||||||
| IRFP9240PBF/IR | IR | 08+; | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP9242 | Samsung | auf Bestellung 11300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC20 Produktcode: 127544
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC30 | IR | TO-3P | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC40 | HARRIS | IRFPC40 | auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40 | Harris Corporation | Description: 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC40 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 31 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.3A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 6.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC42 | International Rectifier | Description: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P) | auf Bestellung 5701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC48 | Vishay / Siliconix | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC48 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC48 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 8.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50 Produktcode: 83094
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/140 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| IRFPC50 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50 | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC50 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50A | IR | TO-247 | auf Bestellung 95725 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 180W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50APBF. | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC50APBF. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 11 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 180 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 180 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50LC | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPC50LCPBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V N-CH HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50LCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 190W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 11A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 600V Power dissipation: 190W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 1845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 180W Gate charge: 0.14µC | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET | auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 1845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 180W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60 | IR | TO-247 | auf Bestellung 37799 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60 | (N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC60LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60LC | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC60LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | (N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 64A | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 16A N-CH MOSFET | auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF Produktcode: 34257
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 | auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFPC60PBF Produktcode: 113650
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFPC60PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 3818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IRFPC60PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC60PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
