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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFPG30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPG30PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30(MFET,N-CH,125W,1000V,3.1A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.83 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.43 EUR
25+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.75 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.07 EUR
100+3.4 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.75 EUR
2500+2.55 EUR
5000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.31 EUR
74+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.57 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.11 EUR
52+2.78 EUR
100+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40SiliconixN-MOSFET 43A 1000V(1kV) 150W 3.5Ω IRFPG40 IRFPG40 TIRFPG40
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.49 EUR
43+3.39 EUR
51+2.79 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.07 EUR
10+5.39 EUR
100+4.49 EUR
500+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4.3 A, 3.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.74 EUR
26+5.68 EUR
50+4.73 EUR
100+3.86 EUR
125+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.3 EUR
25+6.02 EUR
100+5 EUR
500+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.14 EUR
28+5.04 EUR
100+3.91 EUR
500+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.31 EUR
19+3.9 EUR
25+3.29 EUR
50+2.99 EUR
100+2.82 EUR
125+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.62 EUR
40+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.12 EUR
29+5.14 EUR
100+4.05 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG42Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50N-кан. HEXFEX TO-247 , U=1000В, I=6,1A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.89 EUR
27+5.52 EUR
100+4.66 EUR
500+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.99 EUR
25+8.42 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.94 EUR
35+4.24 EUR
100+4.07 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.28 EUR
19+3.83 EUR
25+3.37 EUR
50+3.1 EUR
100+2.95 EUR
150+2.86 EUR
250+2.76 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 190, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 6.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.37 EUR
10+6.62 EUR
100+5.56 EUR
500+4.7 EUR
2500+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.81 EUR
24+5.89 EUR
100+4.78 EUR
500+3.85 EUR
1000+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.89 EUR
27+5.4 EUR
100+4.49 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFIRFPG50PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.75 EUR
50+6.02 EUR
100+4.85 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBF
Produktcode: 23069
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1000
Idd,A: 06.01.2015
Rds(on), Ohm: 2
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS29n60LТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS29N60LPBF
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS29N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS30N60K
Produktcode: 83095
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Uds,V: 600
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 5870/220
Bem.: SMPS MOSFET
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS30N60KVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 30 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS30N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS30N60KPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 30 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS30n60LInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50L
Produktcode: 165582
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50LVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50LSuper-247 (TO-274AA) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50LIRTO-247
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50LPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 34 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS35N50LPBFIRC07+;
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50AТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50A
Produktcode: 25171
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Uds,V: 500
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 5579/180
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+8.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBF
Produktcode: 113415
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR >= 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFTrans MOSFET N-CH 500V 36A Super-247 Транзистори
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+40.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 36 A, Ptot, Вт = 446, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5579 @ 25, Qg, нКл = 180, Rds = 130 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SUPER-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS37N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Packaging: Bag
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810International RectifierSuper-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810
Produktcode: 58957
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Uds,V: 100
Idd,A: 170
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6790/260
Bem.: HEXFET Power MOSFET
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810HRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFPS3810PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-274AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBF
Produktcode: 101081
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170, Ptot, Вт = 580, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6790 @ 25 В, Qg, нКл = 390, Rds = 9 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3...5 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInfineon / IRMOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3810TRPBFIR09+ SOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815
Produktcode: 30170
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 150
Idd,A: 105
Rds(on), Ohm: 0.015
Ciss, pF/Qg, nC: 6810/260
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815HRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 63A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBF
Produktcode: 139365
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 260nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS3815PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFPS3815PBF - IRFPS381 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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