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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR3410TRPBFInternational RectifierDPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
141+1.2 EUR
158+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
128+1.82 EUR
144+1.5 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.36 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.86 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.11 EUR
140+1.19 EUR
157+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBF Transistor
Produktcode: 201152
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRRIR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 48nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411PBF
Produktcode: 131087
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 32A DPAK Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 30A; 42W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3411; IRFR3411TR; SP001560590; SP001564934; IRFR3411TR HXY MOSFET TIRFR3411 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRLPBFInfineon / IRMOSFET D-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
93+2.51 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.77 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.68 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
6000+0.63 EUR
10000+0.58 EUR
14000+0.56 EUR
20000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.48 EUR
164+1.01 EUR
250+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.12 EUR
4000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
110+1.55 EUR
158+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.21 EUR
115+1.39 EUR
164+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 10179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
110+1.52 EUR
158+1.01 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.01 EUR
4000+0.9 EUR
6000+0.83 EUR
10000+0.77 EUR
14000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+1.37 EUR
526+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412
Produktcode: 153302
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412PBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412TRIR
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412TRLPBFIR10+ SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3412TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFR3412TRRPBFIR09+ SOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR3418IRFR3418 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRFR3418Infineon / IRMOSFET
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IRFR3418HRInfineon / IRInfineon
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IRFR3418PBFInfineon / IRMOSFET
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IRFR3418PBF
Produktcode: 108147
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR3418PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IRFR3418TRInfineon / IRMOSFET
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IRFR3418TRHRInfineon / IRInfineon
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IRFR3418TRLInfineon / IRMOSFET
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IRFR3418TRLInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 70A DPAK Транзистори
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IRFR3418TRLHRInfineon / IRInfineon
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IRFR3418TRLPBFInfineon / IRMOSFET
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IRFR3418TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3418TRPBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR3418TRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRFR3418TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3418TRRInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3418TRRHRInfineon / IRInfineon
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IRFR3418TRRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRFR3504IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
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IRFR3504PBFIR07+
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR3504TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR3504TRPBFIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR3504TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZIR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZPBF
Produktcode: 40368
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1510/30
Montage: SMD
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1+1.31 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 30nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 50A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3504Z; IRFR3504ZTRL; IRFR3504ZTR; IRFR3504ZTRR; SP001555064; SP001552130; SP001556956; IRFR3504ZTR JGSEMI TIRFR3504z JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 80A; 44,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3504Z; IRFR3504ZTRL; IRFR3504ZTR; IRFR3504ZTRR; SP001555064; SP001552130; SP001556956; IRFR3504ZTR-ML MOSLEADER TIRFR3504z MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRLPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
93+2.51 EUR
250+2.19 EUR
1000+2.01 EUR
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2.12 EUR
100+1.52 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFInfineonIRFR3504ZTRPBF IRFR3504Z DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
250+2.19 EUR
1000+2.01 EUR
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3504ZTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
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IRFR3504ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
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IRFR3505IRTO-252
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IRFR3505HRInfineon / IRInfineon
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IRFR3505HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFR3505PBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 62nC
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IRFR3505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IRFR3505PBF
Produktcode: 112588
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