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IRFR3411TRPBF

IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

infineonirfr3411datasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.75 EUR
4000+0.68 EUR
6000+0.64 EUR
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Technische Details IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.77 EUR
4000+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
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2000+1.04 EUR
4000+0.93 EUR
6000+0.86 EUR
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14000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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auf Bestellung 1900 Stücke:
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473+1.39 EUR
526+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
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auf Bestellung 1601 Stücke:
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115+1.51 EUR
164+1.04 EUR
250+1 EUR
500+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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auf Bestellung 1601 Stücke:
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78+2.26 EUR
115+1.43 EUR
164+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.51 EUR
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auf Bestellung 1098 Stücke:
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74+2.38 EUR
110+1.56 EUR
158+1.04 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
110+1.58 EUR
158+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 10179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.12 EUR
4000+1.06 EUR
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IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
93+2.51 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFR3411TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.77 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.68 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3411TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.04 EUR
4000+0.93 EUR
6000+0.86 EUR
10000+0.79 EUR
14000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3411TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
473+1.39 EUR
526+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
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IRFR3411TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+1.51 EUR
164+1.04 EUR
250+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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IRFR3411TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.26 EUR
115+1.43 EUR
164+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.51 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1098 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
74+2.38 EUR
110+1.56 EUR
158+1.04 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.38 EUR
110+1.58 EUR
158+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRFR3411TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBF irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093
IRFR3411TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 10179 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.83 EUR
12+1.77 EUR
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500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR3411TRPBF Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3411TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.83 EUR
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100+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.12 EUR
4000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3411TRPBF INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3411TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
93+2.51 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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