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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4411DY
Produktcode: 75417
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /43
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4411DYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4411DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4411DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4411DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4411DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412SISOP-8
auf Bestellung 23520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412A
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412ADYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412ADY-T1VISHAY0349+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4412ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412ADYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DYVISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DY-T-3E
auf Bestellung 28546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DY-T1SILICONIX95+
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DY-TI
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4412DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+3.38 EUR
100+2.69 EUR
500+2.27 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.5 EUR
100+2.57 EUR
250+2.56 EUR
500+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.45 EUR
125+1.33 EUR
126+1.27 EUR
127+1.21 EUR
133+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.65 EUR
53+3.15 EUR
54+3.05 EUR
100+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.38 EUR
126+1.34 EUR
127+1.31 EUR
133+1.23 EUR
250+1.19 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413ADYE3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413BDY
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413CDY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413CDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Ch SO-8 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413DYVISHAY09+
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4413DY-T1VISHAY04+
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4413DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4414SISOP-8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4414-5
auf Bestellung 183469 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4416SISOP-8
auf Bestellung 15780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4416DY
auf Bestellung 19800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4416DY-T1VISHAY0405+
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4416DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4416DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4416DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DYVISHAY09+
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4418DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI441DDY
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI441O
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420
Produktcode: 45261
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420SISOP-8
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Power - Output: 8dBm
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -109dBm
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Current - Transmitting: 13mA ~ 24mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.89 EUR
10+12.92 EUR
96+11.32 EUR
192+10.89 EUR
288+10.64 EUR
576+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2016 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTSilicon LabsTSSOP 16/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4420
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2016 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2016 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.29 EUR
25+7.18 EUR
100+7 EUR
250+6.83 EUR
500+6.71 EUR
1000+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -109dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 13mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/Transceiver (EZRadio) SI4420
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDYSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY TSI4420bdy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm
auf Bestellung 4031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.37 EUR
100+1.83 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4420BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
65+3.59 EUR
100+2.27 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.89 EUR
100+1.59 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3-PBF
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V
auf Bestellung 7668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.62 EUR
100+1.58 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
13+1.64 EUR
100+1.59 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420DYON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420DYonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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