Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7440TRPBF Produktcode: 208603
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR7446 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7446PBF Produktcode: 164478
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR7446PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7446PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | auf Bestellung 7608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 5988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Power dissipation: 98W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 8398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540 | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7540 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR7540PBF | International Rectifier | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet, TO-252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF Produktcode: 118952
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 12466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | auf Bestellung 6738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | auf Bestellung 5565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 12466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR HXY MOSFET TIRFR7546 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR UMW TIRFR7546 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 45A; 63W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR JGSEMI TIRFR7546 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR-ML MOSLEADER TIRFR7546 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | International Rectifier | N-MOSFET, полевой, 60В, 71А, 99Вт, DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 99W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | auf Bestellung 2153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF Produktcode: 115259
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7740 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 140W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 3759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Tube | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746PBF-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Verlustleistung: 99 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 56 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 Verlustleistung: 99 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7833 | IR | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR812 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR812PBF Produktcode: 167541
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |