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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR9220TRPBF
Produktcode: 166997
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
82+2.06 EUR
83+1.96 EUR
125+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.5Ω
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
43+2 EUR
49+1.75 EUR
66+1.3 EUR
100+1.15 EUR
125+1.12 EUR
250+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.39 EUR
100+1.69 EUR
4000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFInternational RectifierMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
95+2.46 EUR
128+1.68 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
82+2.09 EUR
100+1.83 EUR
125+1.73 EUR
250+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 7645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.56 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.07 EUR
4000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+1.98 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310
Produktcode: 31820
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/13
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
1+1.17 EUR
10+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
148+1.17 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
auf Bestellung 4422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+1.86 EUR
100+1.5 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.18 EUR
6000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.74 EUR
131+1.29 EUR
148+1.09 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
101+1.67 EUR
123+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 15798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
113+2.06 EUR
141+1.52 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.99 EUR
83+1.04 EUR
97+0.88 EUR
150+0.84 EUR
375+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFIRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
100+1.73 EUR
150+1.67 EUR
375+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 5120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
75+2.06 EUR
150+1.86 EUR
525+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.81 EUR
127+1.33 EUR
143+1.13 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TR
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
auf Bestellung 13684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.62 EUR
100+1.76 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFR9310 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
106+2.2 EUR
143+1.51 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 18152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.3 EUR
6000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.09 EUR
106+2.2 EUR
143+1.51 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.27 EUR
147+1.14 EUR
148+1.09 EUR
160+0.98 EUR
250+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -400V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 7Ω
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.64 EUR
41+2.12 EUR
46+1.86 EUR
64+1.34 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.53 EUR
95+1.82 EUR
107+1.57 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 5718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishayP-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.19 EUR
148+1.17 EUR
160+1.06 EUR
250+1.02 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
auf Bestellung 12901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.51 EUR
100+1.74 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.23 EUR
4000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9920
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20D
Produktcode: 31144
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20DIR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20DHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20DPBF
Produktcode: 132758
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20DPBFInternational RectifierТранзистори
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IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
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IRFR9N20DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFR9N20DTRHRInfineon / IRInfineon
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IRFR9N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
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IRFR9N20DTRLPBFInfineon
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IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC
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IRFR9N20DTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9N20DTRPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
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IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
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IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFR9N20DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFR9N20DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.38 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 86
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
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IRFR9N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
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IRFR9N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRFRC20VishayTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFRC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20VishayTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFRC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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IRFRC20?94-4787?IRTO-252
auf Bestellung 20550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFRC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
171+1.37 EUR
182+1.18 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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