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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1015-GR(ROHS)TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-GR(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
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2SA1015-GR(TE2FTToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1015-GR(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),
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2SA1015-GR(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
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2SA1015-GR-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
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2SA1015-GR-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1015-GR-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
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2SA1015-GR-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-GRY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-OMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTOR
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2SA1015-O(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
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2SA1015-O(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
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2SA1015-O-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
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2SA1015-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-TIB
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-Y
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-YToshibaBipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92 Транзистори
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2SA1015-YToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1015-Y(F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2SA1015-Y(F)TOSHIBATO92
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-Y(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
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2SA1015-Y(TE2)TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-Y(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
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2SA1015-Y(TE2,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SA1015-Y(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1015-Y(TPE2,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
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2SA1015-Y-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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2SA1015-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
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2SA1015-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
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2SA1015-Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1015-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1015-Y/GRTOSHIBA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015-YT2SPTTOS07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015GR
Produktcode: 25436
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21, max: 200...400
auf Bestellung: 148 St.
  • 148 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
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2SA1015GRToshibaPNP TO-92 Транзистори
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2SA1015LT1 BASOT23/SOT323
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1015OTE2TToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
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2SA1015TEVVODescription: TO-92 PNP PLASTIC-ENCAPSULATED T
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
62+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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2SA1015YToshibaPNP TO-92 Транзистори
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2SA1015Y
Produktcode: 108505
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 МГц
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 50 В
Strom Ic, A: 0,15 А
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
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2SA1015Y
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1015YLEADFREE(BULK)TOSHIBA
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1016KG
auf Bestellung 3107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1016KG-AAON Semiconductor2SA1016KG-AA
auf Bestellung 14820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
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2SA1016KG-AAonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 14820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
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2SA1016KG-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1016KG-AA - 2SA1016KG-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SA1018PanasonicTO-92
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA10180RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO-92-B1
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-B1
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1019
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA102NECCAN
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1020LGETransistor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B; 2SA1020 T2SA1020 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2SA1020onsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
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2SA1020
Produktcode: 36910
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92L
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 240
auf Bestellung: 727 St.
  • 727 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
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2SA1020onsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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2SA1020Toshiba
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2SA1020LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Mounting: THT
Current gain: 40...240
Frequency: 100MHz
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2SA1020-LGELGE2SA1020-LGE 2SA1020 Транзистор: PNP; біполярний; 50В; 2А; 0,9Вт; TO92L Транзистори
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2SA1020-O(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1020-O(F,M)ToshibaToshiba
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2SA1020-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1020-O(TE6,F,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1020-O,CKF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1020-O,CKF(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1020-O,F(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1020-O,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1020-O,T6CSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1020-O,T6CSF(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1020-O-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1020-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1020-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA1020-YTOSHIBA2007 TO-92
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2SA1020-YLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Mounting: THT
Current gain: 120...240
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 8300 Stücke:
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2SA1020-YToshibaBJT PNP -50V -2A 900mW TO-92 MOD Транзистори
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2SA1020-Y (TE6.F.M)ToshibaBJT PNP -50V -2A 900mW TO-92 MOD Транзистори
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2SA1020-Y(6MBH1,AFToshibaToshiba
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2SA1020-Y(6MBH1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-Y(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-Y(F,M)ToshibaToshiba
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2SA1020-Y(HIT,F,M)ToshibaToshiba
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2SA1020-Y(HIT,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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2SA1020-Y(ND1,AF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-Y(ND1,AF)ToshibaToshiba
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2SA1020-Y(T6CANO,CToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(10-04),
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2SA1020-Y(T6CANOAFToshibaToshiba
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2SA1020-Y(T6CANOAFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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2SA1020-Y(T6CANOFMToshibaToshiba
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2SA1020-Y(T6CANOFMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-Y(T6CN,A,FToshibaToshiba
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2SA1020-Y(T6CN,A,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-Y(T6FJT,AFToshibaToshiba
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2SA1020-Y(T6FJT,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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2SA1020-Y(T6ND1,AFToshibaToshiba
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2SA1020-Y(T6ND1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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