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2SA1015GR

2SA1015GR Toshiba

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Produktcode: 25436
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21, max: 200...400
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1015 2SA1015 GOODWORK 1787042716666232.pdf Description: 150mA 50V 200mW SOT-23
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2SA1015 2SA1015 Lumimax Optoelectronic Technology view Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 0.1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
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2SA1015 2SA1015 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2SA1015.pdf Description: 50V 400MW 150MA PNP TO-92
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1000+0.042 EUR
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2SA1015 2SA1015 EVVO 5272_2SA1015.pdf Description: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
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2SA1015-GR TOSHIBA 0918+ TO-92
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2SA1015
Hersteller: GOODWORK
Description: 150mA 50V 200mW SOT-23
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2SA1015 view
2SA1015
Hersteller: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 0.1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
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295+0.071 EUR
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2SA1015
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 400MW 150MA PNP TO-92
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2SA1015
Hersteller: EVVO
Description: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
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2SA1015-GR
Hersteller: TOSHIBA
0918+ TO-92
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Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 80 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 А
Stromverstärkung h21: 700
Montage: THT
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Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Montage: THT
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Produktcode: 30631
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2SA1013-Y
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92L
Grenzfrequenz fT, MHz: 50 MHz
Spannung Uce, V: 160 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 200
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2SC2240GR (NPN-Bipolartransistor)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 120 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 700
Montage: THT
auf Bestellung: 143 St.
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10+0.36 EUR
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2SC2383 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 35535
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 500 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 18 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 38 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,75 A
Stromverstärkung h21: 200
Montage: THT
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 137 St.
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