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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BVSS84LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
461+0.5 EUR
681+0.31 EUR
893+0.24 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1777520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+0.29 EUR
608+0.27 EUR
614+0.26 EUR
1023+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
auf Bestellung 65502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
538+0.43 EUR
747+0.29 EUR
788+0.27 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1777520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
792+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 792 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.09 EUR
24000+0.086 EUR
30000+0.082 EUR
75000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GonsemiMOSFETs PFET 50V 130MA 10.0
auf Bestellung 50106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1G
Produktcode: 205838
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
27000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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