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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN7R7-25QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
35+0.62 EUR
39+0.55 EUR
100+0.48 EUR
250+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.88 EUR
368+0.63 EUR
550+0.39 EUR
650+0.33 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN7R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Tr
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.45 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
208+1.12 EUR
279+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
208+1.12 EUR
279+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN8R3-30QLJNexperiaMOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.83 EUR
100+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
36+0.58 EUR
41+0.52 EUR
100+0.45 EUR
250+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
216+1.07 EUR
291+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN9R0-30QLJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.26 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
34+0.63 EUR
50+0.52 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
216+1.07 EUR
291+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PXN9R1-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 9.1 mOhm, logic level Tr
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.29 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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