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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UMG8NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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UMG8NTRROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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UMG8NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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UMG8NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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UMG8TL(G8)
auf Bestellung 2300 Stücke:
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UMG8TRSOT353-G
auf Bestellung 1813 Stücke:
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UMG8TRSOT353-G8ROHM
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UMG9ROHMSOT-353
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UMG9 N TLROHMSOT353
auf Bestellung 2975 Stücke:
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UMG9 N TRROHMSOT353
auf Bestellung 5980 Stücke:
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UMG9/G9ROHM09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UMG9G9ROHM03+ SOT-353
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UMG9NROHMSOT25/SOT353
auf Bestellung 1000 Stücke:
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UMG9N/G9
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UMG9NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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UMG9NTRROHMDescription: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+1 EUR
412+0.56 EUR
629+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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UMG9NTRROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
auf Bestellung 17705 Stücke:
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5+0.68 EUR
10+0.46 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG9NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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UMG9NTRROHMDescription: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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UMG9NTR(G9)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UMG9TR
auf Bestellung 14690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG9TR(G9)
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG9\G9ROHMSOT-353
auf Bestellung 21100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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