UMG9NTR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details UMG9NTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-353, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: UMG9N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote UMG9NTR nach Preis ab 0.14 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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UMG9NTR | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-353 |
auf Bestellung 17705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMG9NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Supplier Device Package: UMT5 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMG9NTR | ROHM |
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: UMG9N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UMG9NTR | ROHM |
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: UMG9N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UMG9 N TR | ROHM | SOT353 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UMG9NTR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
auf Bestellung 17705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| UMG9NTR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.9 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| UMG9NTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
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Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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usEccn: EAR99
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Produktpalette: UMG9N Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 252+ | 1 EUR |
| 412+ | 0.56 EUR |
| 629+ | 0.35 EUR |
| UMG9NTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Produktpalette: UMG9N Series
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 252+ | 1 EUR |
| 412+ | 0.56 EUR |
| 629+ | 0.35 EUR |
| UMG9 N TR |
Hersteller: ROHM
SOT353
SOT353
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)