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UMG9NTR

UMG9NTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMG9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
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Technische Details UMG9NTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-353, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: UMG9N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMG9NTR UMG9NTR ROHM Semiconductor datasheet?p=UMG9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
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UMG9NTR UMG9NTR Rohm Semiconductor datasheet?p=UMG9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
auf Bestellung 5794 Stücke:
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33+0.64 EUR
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UMG9NTR UMG9NTR ROHM umg9ntr-e.pdf Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
447+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
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UMG9NTR UMG9NTR ROHM umg9ntr-e.pdf Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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UMG9 N TR ROHM SOT353
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UMG9NTR
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Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
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UMG9NTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Description: ROHM - UMG9NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: UMG9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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