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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC2222H_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2222H_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2222H_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2222H_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223NECSOT-23
auf Bestellung 5568 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC2223 F35NEC09+
auf Bestellung 1374018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1(F12)
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1(F13)
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1BNECSOT23
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1B F12NECSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1B F13NECSOT23
auf Bestellung 17420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1B(F12)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T1B-ARenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC2223-T1B/F13/F14
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2223-T2B-ARenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2SC2223-TBNEC09+
auf Bestellung 500018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC2224
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2224A
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2227NECCAN
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2228A
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2228E-AEonsemiDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2228E-AESanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2228Y
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229TOS10+ DO214
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229(TE6SAN1F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229(TE6SAN1F,MToshibaToshiba
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2SC2229-O(MIT1F,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(MIT1F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(MITIF,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC2229-O(MITIF,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(SHP,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC2229-O(SHP,F,M)ToshibaToshiba
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2SC2229-O(SHP1,F,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(SHP1,F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(T6MIT1FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(T6MIT1FMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(T6SAN2FMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(T6SAN2FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(T6SHP1FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(T6SHP1FMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(TE6,F,M)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(MIT,F,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(MIT,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(MIT1,F,MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(MIT1,F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(SAN2,F,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(SAN2,F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(SHP,F,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(SHP,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(SHP1,F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(SHP1,F,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6MIT1FMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6MIT1FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6MITIFMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6MITIFMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6ONK1FMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6ONK1FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6SAN2FMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(T6SAN2FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2229-Y(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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2SC2229-Y,F(JToshibaToshiba
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2SC2229-Y,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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2SC2229YTOS10+ SOT-23
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2SC223NECCAN
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2SC2230-GR(C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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2SC2230-GR(TE6,C,MToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SC2230-GR(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SC2230A
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2SC2230A-GR (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 35534
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92L
Transitfrequenz fT: 50 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 180 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 200 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 400
Montage: THT
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2SC2230A-GR(C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SC2230A-Y,F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC2230A-Y,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC2230A-Y,T6F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC2231A
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2SC2233
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2SC2233-YFSC09+
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2SC2234
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2SC2235ToshibaNPN, 120V, 0.8A, 120MHz, TO-92 Транзистори
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2SC2235(T6KMAT,F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SC2235(T6KMAT,F,MToshibaToshiba
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2SC2235-O(FA1,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SC2235-O(FA1,F,M)ToshibaToshiba
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2SC2235-O(T6ASN,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SC2235-O(T6ASN,FMToshibaToshiba
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2SC2235-O(T6FJT,AFToshibaToshiba
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2SC2235-O(T6FJT,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SC2235-O(T6FJT,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SC2235-O(T6FJT,FMToshibaToshiba
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2SC2235-O(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SC2235-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC2235-O(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; LSTM; MOQ=3000; PC=900MW; F=100khz
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2SC2235-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SC2235-O(TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,
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2SC2235-O,F(JToshibaToshiba
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2SC2235-O,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SC2235-YToshibaTRANS NPN 800MA 120V TO226-3 (TO-92MOD) Complementery to 2SA965 Транзистори
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2SC2235-Y
Produktcode: 102179
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