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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| NHDTC114EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114EUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114EUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114EU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 5915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 8734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET B JT | auf Bestellung 6356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 235mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114EU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2861 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 235mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114EU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2861 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114YT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114YT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114YTR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 5652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YTR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114YTR | Nexperia | Digital Transistors NHDTC114YT/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 15220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YTR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114YTR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114YTVL | Nexperia | Digital Transistors 80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114YTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 39630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114YUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 315mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114YUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET BJT | auf Bestellung 8446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC114YUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC114YUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 315mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC114YU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 245 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC114YUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 15165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 3924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JT-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JTR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 85 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JTR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JTR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JTR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JTR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJT | auf Bestellung 6401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JTR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JTR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 20840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 46407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JTVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 9120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 9120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 6099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 235mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 6099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 315mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC123JUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC123JUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 315mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC123JU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC123JUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC123JUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET B JT | auf Bestellung 7607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124ET-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC124ET-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ET-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC124ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 183000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJT | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 113900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 26914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 183000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETVL | Nexperia | Digital Transistors 80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124ETVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC124ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC124ET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 7591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 38103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124ETVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC124ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC124ET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 7591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC124EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency - Transition: 170 MHz Power - Max: 235 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 170 MHz Power - Max: 235 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC124EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC124EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET B JT | auf Bestellung 4664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: NHDTC143ZT-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC143ZT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: NHDTC143ZT-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 31650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T | auf Bestellung 7926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T | auf Bestellung 9884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 36631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: IC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NHDTC143ZUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 315mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHDTC143ZUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 31533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NHDTC143ZUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 315mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 80V NPN RET BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NHDTC143ZUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 80V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 235 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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