Produkte > TSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, -4.9A, Dual P-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 20406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 22299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4953DCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4D887M010AH6410D493 | KEMET | Description: CAP TANT 880UF 20% 10V SMD Manufacturer Size Code: 4D ESR (Equivalent Series Resistance): 125mOhm Ratings: COTS Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Molded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm) Package / Case: Stacked SMD, 4 J-Lead Features: High Reliability Tolerance: ±20% Packaging: Tray Voltage - Rated: 10 V Capacitance: 880 µF Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.259" (6.58mm) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4D887M010AH6410D493 | KEMET | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 880uF 2917 20% ESR=125mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1875 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4N70CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N70CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N80CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N80CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 4A ITO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N80CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 4A N Channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 4A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V 4A N Channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 25 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4NB50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (I-PAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH C5 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | auf Bestellung 14316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 3455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB60CP RO | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 3260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 | auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CZ | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB60CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB65CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | auf Bestellung 10528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB65CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB65CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB65CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB65CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 | auf Bestellung 2456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB65CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NB65CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NB65CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 4AMP N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NC50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NC50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NC50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252 | auf Bestellung 9895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4NC60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4NC60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4Amp, 2,5ohm N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4ND50CP RO | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 4Amp N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4ND60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4A ITO220 | auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4ND60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4ND60CI RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4ND65CI | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4ND65CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 4A ITO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 596 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | auf Bestellung 1845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4ND65CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 4A Single N-Cha nnel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4ND65CI RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ100KB25 | Vishay Sfernice | Description: SFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMME Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ100KR05 | Vishay / Sfernice | Trimmer Resistors - SMD TSM4 YJ 10U 10% TR e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ100KR05 | Vishay Sfernice | Description: TRIMMER Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ101KB25 | Vishay / Sfernice | Trimmer Resistors - SMD TSM4 YJ 100U 10% BO e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ101KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ101KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 100 ohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: Y Bahnwiderstand: 100ohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm euEccn: NLR Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4YJ101KR05 | Vishay / Sfernice | Trimmer Resistors - SMD 100ohms 10% | auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ101KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ101KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 100 ohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: N Bahnwiderstand: 100ohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm euEccn: NLR Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4YJ102KB25 | Vishay Sfernice | Description: SFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMME | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ102KR05 | Vishay / Sfernice | Trimmer Resistors - SMD 1Kohms 10% | auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ102KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ102KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 1 kohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: Y Bahnwiderstand: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ102KR05 | Vishay Sfernice | Description: SFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMME Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Adjustment Type: Top Adjustment Size / Dimension: Rectangular - 0.189" x 0.138" Face (4.80mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Termination Style: Gull Wing Resistive Material: Cermet Resistance: 1 kOhms Number of Turns: 11 | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ102KR05 | Vishay Sfernice | TSM4YJ102KR05 1,0 кОм TRIMMER Резистори змінні та підлаштовні | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ102KR05 | Vishay Sfernice | Description: SFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMME Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Adjustment Type: Top Adjustment Size / Dimension: Rectangular - 0.189" x 0.138" Face (4.80mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Termination Style: Gull Wing Resistive Material: Cermet Resistance: 1 kOhms Number of Turns: 11 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ102KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ102KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 1 kohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: N Bahnwiderstand: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ103JR05 | Vishay Sfernice | Description: SFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMME | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ103KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ103KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 10 kohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: N Bahnwiderstand: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm | auf Bestellung 7102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4YJ103KR05 | Vishay Sfernice | Description: TRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOP Number of Turns: 13 Resistance: 10 kOhms Part Status: Active Resistive Material: Cermet Termination Style: J Lead Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: Rectangular - 0.189" x 0.138" Face (4.80mm x 3.50mm) Adjustment Type: Top Adjustment Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Tolerance: ±10% Power (Watts): 0.25W, 1/4W Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ103KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ103KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 10 kohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: Y Bahnwiderstand: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm | auf Bestellung 7102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4YJ103KR05 | Vishay Sfernice | Description: TRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOP Part Status: Active Resistive Material: Cermet Termination Style: J Lead Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: Rectangular - 0.189" x 0.138" Face (4.80mm x 3.50mm) Adjustment Type: Top Adjustment Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Tolerance: ±10% Power (Watts): 0.25W, 1/4W Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Turns: 13 Resistance: 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ103KR05 | Vishay / Sfernice | Trimmer Resistors - SMD 10Kohms 10% | auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ104KR05 | VISHAY | Category: Multiturn SMD trimmers Description: Potentiometer: mounting; 100kΩ; 250mW; SMD; ±10%; 100ppm/°C; cermet Type of potentiometer: mounting Resistance: 100kΩ Mounting: SMD Track material: cermet Body dimensions: 4.8x5.3x5.1mm Operating temperature: -65...150°C Power: 0.25W Temperature coefficient: 100ppm/°C Quantity in set/package: 250pcs. Tolerance: ±10% | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4YJ104KR05 | Vishay / Sfernice | Trimmer Resistors - SMD 4MM SQ 10% 100K | auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ104KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ104KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 100 kohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW Bahnwiderstand: 100kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm euEccn: NLR Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM4YJ104KR05 | Vishay Sfernice | Description: TRIMMER 100K OHM 0.25W GW TOP Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Adjustment Type: Top Adjustment Size / Dimension: Rectangular - 0.189" x 0.138" Face (4.80mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Termination Style: Gull Wing Resistive Material: Cermet Resistance: 100 kOhms Number of Turns: 13.0 | auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM4YJ104KR05 | VISHAY | SMD | auf Bestellung 86200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM4YJ104KR05 | VISHAY | Description: VISHAY - TSM4YJ104KR05 - Trimmer, Mehrgängig, Cermet, Einstellung oben, 100 kohm, Oberflächenmontage, 13 Umdrehung(en) tariffCode: 85334010 Produkthöhe: 5.1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: SMD Anzahl der Umdrehungen: 13Umdrehung(en) Form / Größe des Trimmers: 5mm, quadratisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Potentiometermontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Nennleistung: 250mW isCanonical: Y Bahnwiderstand: 100kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt Trimmer: Mehrgängig Betriebstemperatur, min.: -65°C Einstellungsart: Einstellung oben Widerstandstoleranz: ± 10% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 4.8mm SVHC: Lead (23-Jan-2024) Element-Material: Cermet Produktpalette: TSM4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.5mm | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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