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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFZ48VSTRLPBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48VSTRRHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZPBF
Produktcode: 45935
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 64 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1970/81
Montage: THT
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1+1.02 EUR
10+0.9 EUR
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IRFZ48ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC Qg
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSPBFInternational RectifierD2PAK/55V SINGLE N-CHANNEL HEXFET, D2-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSPBF
Produktcode: 72073
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZR4N08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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