Produkte > ES1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| ES1JFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JFSH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 28000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD128 Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 13615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JFSH M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JG | --- | ES1JG ES1J Ultra Fast, 1.0A, 600V, SMA Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JG | SHIKUES | 1A; 600V packaging: tape&reel ES1JG DO-214AC(SMA) SHIKUES rectifier diode DP ES1JG SHK Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| ES1JG (SMA) | Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Uзвор, В = 600, Io, А = 1,... Діоди Корпус: SMA Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| ES1JH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 202500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHE3-LTP | Micro Commercial Components (MCC) | Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHE3-LTP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHE3-LTP | Micro Commercial Components | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHF2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHL-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHL-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123HL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123H Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123HL Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHR2 | Taiwan Semiconductor | 1A, 600V, SUPER FAST SURFACE MOUNT RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - ES1JJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 23 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 23ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JJ | Nexperia USA Inc. | Description: ES1J/SOD1001/SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | auf Bestellung 4350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JJ | Nexperia | Rectifiers ES1J/SOD1001/SMA | auf Bestellung 115718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JJ | Nexperia | Diode Switching 600V 1.4A 2-Pin SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JJ | Nexperia USA Inc. | Description: ES1J/SOD1001/SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - ES1JJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 23 ns, 30 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - ES1JL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor | Super Fast, 1.0A, 600V, Vf=1.70V@1.0A, Trr=35ns, SubSMA (SMD) Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF | auf Bestellung 6228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - ES1JL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JL M2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL M2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL MQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R2 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R2 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL R2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 1968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RQ | ES1JL RQ Диоды Ultra fast | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| ES1JL RQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RT | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RU | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RUG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RV | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL-06 | Taiwan Semiconductor | 1.0AMP. SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIERS | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL-06 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JL-09 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ES1JLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHMQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHMTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHR2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ES1JLHRFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |