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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS1E170GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E180BNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
19+1.14 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.4 EUR
100+0.95 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E200GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -22.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E220ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 4888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
18+1.17 EUR
100+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 6939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTB
Produktcode: 186061
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohmN-Channel NexFET™ Power MOSFET 40V 27A SON8 5x6mm Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
250+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBROHMDescription: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
177+1.31 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 10628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
15+1.45 EUR
100+1.04 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
250+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBROHMDescription: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
177+1.31 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E240GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
7500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.42 EUR
5000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
46+5.08 EUR
100+3.59 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
100+3.46 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+4.74 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
2500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBROHMDescription: ROHM - RS1E280BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
131+1.64 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 62149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 7441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.46 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBROHMDescription: ROHM - RS1E280BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
81+2.88 EUR
131+1.64 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
7500+0.61 EUR
12500+0.58 EUR
17500+0.56 EUR
25000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
15+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.75 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E281BNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E281BNTB1ROHM SemiconductorMOSFET RS1E281BN is low on-resistance and high power small mold package MOSFET for switching application.
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+3.81 EUR
25+3.61 EUR
100+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E281BNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.34 EUR
10+3.44 EUR
100+2.36 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E300GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E300GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
65+3.62 EUR
100+2.31 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39.8nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 33W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 30.1A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.01 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.54 EUR
5000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E301GNTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E320GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E320GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E320GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+4 EUR
100+2.77 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.5 EUR
100+2.57 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.07 EUR
2500+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E321GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+3.45 EUR
100+2.78 EUR
500+2.28 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.12 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.46 EUR
5000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 30V 80A
auf Bestellung 4431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+4.32 EUR
100+3.37 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.56 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.55 EUR
100+3.4 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350BNTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+4.49 EUR
100+3.57 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E350GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET. Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.83 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E471MF160A00CEChangRS1E471MF160A00CE 470 мкФ 25 В RS 8*16 -40..+105C, low esr Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E471MF160A00CE0ChangRS1E471MF160A00CE0 470 мкФ 25 В 8.0*16 -40..+105C 4000h Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1EK1-A-2515Coto TechnologyDescription: SW REED MEMS SPST EVAL KIT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
776+0.3 EUR
1214+0.18 EUR
1648+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
42+0.51 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
776+0.3 EUR
1214+0.18 EUR
1648+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FD-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FG-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 26598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
42+0.51 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FG-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
705+0.33 EUR
1067+0.2 EUR
1448+0.14 EUR
1634+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FG-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.081 EUR
9000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FG-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
705+0.33 EUR
1067+0.2 EUR
1448+0.14 EUR
1634+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FG-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FJ-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FJ-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.25 EUR
1145+0.2 EUR
1411+0.15 EUR
1645+0.13 EUR
1786+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FJ-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
42+0.51 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FJ-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.25 EUR
1145+0.2 EUR
1411+0.15 EUR
1645+0.13 EUR
1786+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FJ-M3/IVishayRectifiers 1A 600V 500NS SMF FAST SWITCHI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FJ-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FK-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 800V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.07 EUR
21000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FK-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FK-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.38 EUR
910+0.25 EUR
1417+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
1946+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FK-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 800V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
85+0.25 EUR
104+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FK-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FK-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.38 EUR
910+0.25 EUR
1417+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
1946+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FK-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/HVishayRectifiers 1A 200V 500NS SMF FAST SWITCHI
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.096 EUR
45000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FLD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 27776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.55 EUR
642+0.36 EUR
971+0.23 EUR
1330+0.17 EUR
1687+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 28979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
79+0.26 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FLD-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 27776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.55 EUR
642+0.36 EUR
971+0.23 EUR
1330+0.17 EUR
1687+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLD-M3/IVishayRectifiers 1A 200V 500NS SMF FAST SWITCHI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLG-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FLG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1FLG
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLG-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
auf Bestellung 14670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
46+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLG-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - RS1FLG-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 500 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1FLG
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1FLG-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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