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Privatkunde

IQDH29NE2LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm

auf Bestellung 3764 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.61 EUR
36+	6.45 EUR
100+	4.9 EUR
500+	4.2 EUR
1000+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 9-Pin TTFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm

auf Bestellung 3764 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.9 EUR
500+	4.2 EUR
1000+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 9-Pin TTFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

IFX FET 15V-30V

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.21 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.44 EUR
500+	3.67 EUR
1000+	3.52 EUR
2500+	3.39 EUR
5000+	3.31 EUR

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm

auf Bestellung 4295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.47 EUR
34+	6.99 EUR
100+	4.82 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 9-Pin WHTFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

auf Bestellung 4941 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.37 EUR
10+	6.18 EUR
50+	4.81 EUR
100+	4.37 EUR
500+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 9-Pin WHTFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm

auf Bestellung 4295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.82 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQDH29NE2LM5SC

Infineon Technologies

IFX FET 15V-30V

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IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 8-Pin WHSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 8-Pin WHSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4838 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.38 EUR
45+	5.18 EUR
100+	3.77 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

auf Bestellung 4367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.71 EUR
10+	5.75 EUR
100+	4.07 EUR
500+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4838 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.77 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.07 EUR
10+	5.74 EUR
25+	5.34 EUR
100+	4.3 EUR
250+	4.13 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.2 EUR
47+	5.01 EUR
100+	3.81 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.99 EUR
10+	4.5 EUR
25+	4.13 EUR
100+	3.71 EUR
250+	3.5 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.81 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.44 EUR
500+	4.24 EUR
1000+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.02 EUR
10+	6.34 EUR
25+	5.81 EUR
100+	5.26 EUR
250+	4.41 EUR
500+	4.16 EUR
1000+	3.81 EUR

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IQDH35N03LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	7.07 EUR
44+	5.33 EUR
100+	4.44 EUR
500+	4.24 EUR
1000+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

auf Bestellung 3700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.98 EUR
10+	5.94 EUR
100+	4.21 EUR
500+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH35N03LM5SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.01 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQDH35N03LM5SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	7.82 EUR
38+	6.13 EUR
100+	5.01 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

auf Bestellung 4955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.65 EUR
10+	5.71 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.02 EUR
10+	6.34 EUR
25+	5.81 EUR
100+	5.26 EUR
250+	4.41 EUR
500+	4.16 EUR
1000+	3.81 EUR

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IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.73 EUR
10+	5.78 EUR
100+	4.11 EUR
500+	3.53 EUR
2500+	3.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 5068 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.25 EUR
500+	4.74 EUR
1000+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 5068 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.65 EUR
31+	7.64 EUR
100+	5.25 EUR
500+	4.74 EUR
1000+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.88 EUR
10+	5.88 EUR
50+	4.58 EUR
100+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.5 EUR
45+	5.25 EUR
100+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.59 EUR
33+	7.21 EUR
100+	5.78 EUR
500+	5.36 EUR
1000+	5.06 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 10860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.81 EUR
10+	6.43 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.8 EUR
5000+	3.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	5.78 EUR
500+	5.36 EUR
1000+	5.06 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 594 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.81 EUR
10+	6.43 EUR
100+	4.57 EUR
500+	3.89 EUR
1000+	3.72 EUR
5000+	3.47 EUR

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

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IQDH45N04LM6SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 2834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.3 EUR
500+	4.44 EUR
1000+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 611A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	3.15 EUR
55+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	3.08 EUR
55+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 611A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH45N04LM6SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 2834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.61 EUR
31+	7.7 EUR
100+	5.3 EUR
500+	4.44 EUR
1000+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH88N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.01 EUR
500+	4.95 EUR
1000+	4.61 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQDH88N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.25 EUR
32+	7.43 EUR
100+	5.01 EUR
500+	4.95 EUR
1000+	4.61 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.32 EUR
10+	6.2 EUR
100+	4.44 EUR
500+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 3640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.43 EUR
10+	6.12 EUR
25+	6.09 EUR
100+	4.46 EUR
250+	4.44 EUR
500+	4.32 EUR
1000+	4.24 EUR

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IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 5175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.12 EUR
10+	5.38 EUR
25+	4.96 EUR
100+	4.46 EUR
250+	4.32 EUR
500+	4.21 EUR
1000+	4.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.42 EUR
39+	6.1 EUR
100+	4.88 EUR
500+	4.77 EUR
1000+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.88 EUR
500+	4.77 EUR
1000+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1649 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.97 EUR
10+	5.27 EUR
25+	4.84 EUR
100+	4.38 EUR
250+	4.15 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.4 EUR
10+	6.24 EUR
50+	4.88 EUR
100+	4.44 EUR
500+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.19 EUR
500+	5.41 EUR
1000+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 7926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.06 EUR
10+	6.15 EUR
25+	6.09 EUR
100+	5.46 EUR
250+	5.34 EUR
500+	4.77 EUR
1000+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.34 EUR
31+	7.57 EUR
100+	6.19 EUR
500+	5.41 EUR
1000+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4932 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.95 EUR
29+	8.01 EUR
100+	6.51 EUR
500+	5.57 EUR
1000+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

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