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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
US5U1/U01ROHM
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U1TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 1.5A
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U1TR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2ROHMSOT353
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2 TRROHMSOT353-U02 PB-FR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2 TR SOT353-U02 PB-FROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U29ROHMSOT353
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U29TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U29TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U29TR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U29TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.25 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2TRSOT353-
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U2TRSOT353-U02PB-FREEROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U3ROHMSOT353
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U3/U03ROHM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U30
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U30TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U30TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1A
auf Bestellung 3102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U30TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U35
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U35TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
18+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U35TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U35TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U38TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U38TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U38TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U38TRRohmMOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U38TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
28+0.77 EUR
100+0.46 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U3TRROHM SemiconductorMOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US5U3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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