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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
auf Bestellung 8176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.33 EUR
82+1.05 EUR
93+0.92 EUR
130+0.65 EUR
150+0.57 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 56582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
160+1.45 EUR
245+0.88 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 56582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
160+1.45 EUR
245+0.88 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 11895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 68123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
310+0.75 EUR
433+0.5 EUR
592+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.8 EUR
336+0.5 EUR
339+0.49 EUR
694+0.23 EUR
700+0.21 EUR
715+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 68123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
310+0.75 EUR
433+0.5 EUR
592+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 7133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.52 EUR
694+0.25 EUR
700+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DVVISHAY
auf Bestellung 15100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DV-T1VISHAYSOT163
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DV-T1-E3/73LAC
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474-KITSkyworks Solutions, Inc.Power Management IC Development Tools
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+372.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474-KITSkyworks SolutionsSi3474 Power Over Ethernet Controller Evaluation Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI3474
Utilized IC / Part: Si3474
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Power Over Ethernet (PoE)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+371.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474A-A01-IMSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474A-A01-IMSkyworks Solutions Inc.Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP
Power - Max: 90 W
Number of Channels: 8
Part Status: Active
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt
Internal Switch(s): No
Current - Supply: 17mA
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Controller (PSE)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474A-A01-IMSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474A-A01-IMSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt four ethernet port PSE controller with 255mO current sense resistor
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.21 EUR
10+12.84 EUR
25+11.91 EUR
100+10.91 EUR
260+10.22 EUR
520+9.9 EUR
1040+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474A-A01-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Current - Supply: 17mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Auxiliary Sense: No
Part Status: Active
Number of Channels: 8
Power - Max: 90 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474A-A01-IMRSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
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SI3474A-A01-IMRSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt four ethernet port PSE controller with 255mO current sense resistor
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SI3474A-A01-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Current - Supply: 17mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Auxiliary Sense: No
Part Status: Active
Number of Channels: 8
Power - Max: 90 W
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2+15.52 EUR
10+12.05 EUR
25+11.19 EUR
100+10.23 EUR
250+9.78 EUR
500+9.51 EUR
1000+9.28 EUR
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SI3474A-A01-IMRSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
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SI3474A-A02-IMSkyworks Solutions Inc.Description: IEEE 802.3BT FOUR ETHERNET PORT
Number of Channels: 4
Part Status: Active
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Internal Switch(s): Both
Current - Supply: 17mA
Voltage - Supply: 50V ~ 57V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Controller (PSE)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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SI3474A-A02-IMRSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt four ethernet port PSE controller with 255mO current sense resistor
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SI3474A-A02-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: IEEE 802.3BT FOUR ETHERNET PORT
Number of Channels: 4
Part Status: Active
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Internal Switch(s): Both
Current - Supply: 17mA
Voltage - Supply: 50V ~ 57V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Controller (PSE)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI3474B-A01-IMSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
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1+16.53 EUR
10+12.84 EUR
25+11.91 EUR
100+10.91 EUR
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520+9.9 EUR
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SI3474B-A01-IMSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
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SI3474B-A01-IMSkyworks Solutions Inc.Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP
Power - Max: 90 W
Number of Channels: 8
Part Status: Active
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt
Internal Switch(s): No
Current - Supply: 17mA
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Controller (PSE)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3474B-A01-IMSkyworks SolutionsOctal Ethernet port PSE with up to 4 90W 802.3bt ports
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260+10.19 EUR
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SI3474B-A01-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Current - Supply: 17mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Auxiliary Sense: No
Part Status: Active
Number of Channels: 8
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI3474B-A01-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: OCTAL ETHERNET PORT PSE WITH UP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Current - Supply: 17mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Auxiliary Sense: No
Part Status: Active
Number of Channels: 8
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 8298 Stücke:
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2+15.52 EUR
10+12.05 EUR
25+11.19 EUR
100+10.23 EUR
250+9.78 EUR
500+9.51 EUR
1000+9.28 EUR
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SI3474B-A01-IMRSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt four ethernet port PSE controller with 200mO current sense resistor
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SI3474B-A02-IMSkyworks Solutions Inc.Description: IEEE 802.3BT FOUR ETHERNET PORT
Packaging: Tray
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 50V ~ 57V
Current - Supply: 17mA
Internal Switch(s): Both
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Auxiliary Sense: No
Number of Channels: 4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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SI3474B-A02-IMSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt four ethernet port PSE controller with 200mO current sense resistor
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SI3474B-A02-IMRSkyworks Solutions, Inc.Power Switch ICs - POE/LAN IEEE 802.3bt four ethernet port PSE controller with 200mO current sense resistor
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SI3474B-A02-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: IEEE 802.3BT FOUR ETHERNET PORT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 50V ~ 57V
Current - Supply: 17mA
Internal Switch(s): Both
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Auxiliary Sense: No
Number of Channels: 4
Produkt ist nicht verfügbar
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SI3474DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI3474DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 118255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.8A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2.33W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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SI3474DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
268+0.87 EUR
385+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV
Produktcode: 50923
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 0,59 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,37 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/11,7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3475DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3476DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
31+0.69 EUR
100+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3476DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3476DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI3476DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S)
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SI3476DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3476DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
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14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
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SI3476DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
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3+1.23 EUR
10+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3476DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
15000+0.31 EUR
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SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
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SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.45 EUR
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SI3477DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 2054 Stücke:
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89+2.82 EUR
142+1.63 EUR
208+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Транзистори
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