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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPI15N60C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
162+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N60CFD
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N60CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
152+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N60CFDROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPI15N60CFD - SPI15N60 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N60CFDHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPI15N65C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI15N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
146+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI16N50C3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI16N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI16N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI16N50C3INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI170A0-4A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-Fed INV 480V 170A High OVLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI170A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 170A HIGH OVLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60C3InfineonTO262-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60C3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60CFDHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 7668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
110+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N60CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N65C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N65C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI20N65C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21-74
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI214SANYO04+ 13.5mm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI216SANYO04+ 14mm
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
490+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21N50C3Infineon technologies
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI21N50C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SPI21N50C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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SPI21N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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SPI228SANYO04+
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SPI230SANYO04+
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SPI232SANYO04+
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SPI234SANYO04+
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SPI235
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SPI235-18SANYO04+ 12.2mm
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SPI236
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SPI237SANYO04+ 12mm
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SPI238SANYO04+ 13mm
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SPI240
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SPI2566SV325838SFSMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 SODIMM 2GB 256Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
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SPI2566UV325838SFSMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 UDIMM 2GB 256Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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SPI261A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 261A HIGH OVLD
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SPI302SANYO04+
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SPI3102R1SANKEN
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SPI3103R1SANKEN
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SPI315SANYO04+
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SPI319-01-BCSANYO04+
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SPI320-BCSANYO04+
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SPI321618-220K
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SPI325A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 325A HIGH OVLD
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SPI333-34SANYO04+
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SPI335SANYO04+
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SPI336SANYO04+
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SPI35N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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SPI3811-HV096
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SPI385A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 385A HIGH OVLD
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SPI42N03S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
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SPI42N03S2L-13
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SPI460A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 460A HIGH OVLD
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SPI460A0-5A3N2Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 460A HIGH OVERLD
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SPI47N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
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SPI47N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
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SPI47N10L
auf Bestellung 4973 Stücke:
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SPI502A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 502A HIGH OVLD
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SPI50X3S240
auf Bestellung 27 Stücke:
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SPI5126SV351838SESMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 SODIMM 4GB 512Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
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SPI5126UV351838SESMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 UDIMM 4GB 512Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
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SPI60R250CP/6R250P
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SPI632.1CAR
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SPI70N10L
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPI70N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI7210M
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SPI7215M
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPI73N03S2L-08Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
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SPI73N03S2L-08
auf Bestellung 5162 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI7820AIJA9307-K1
auf Bestellung 14 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI7820AIJP9239-A3
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI8001TW
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPI8001TWR1SANKEN
auf Bestellung 16100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPI8002TW
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPI8002TWR1SANKEN
auf Bestellung 3230 Stücke:
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SPI8003TWR1SANKEN
auf Bestellung 2590 Stücke:
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SPI8010ASANKENSOP16 03+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPI8010AR1SANKEN
auf Bestellung 8250 Stücke:
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