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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQSA82CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 23356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA84CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA84CENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 15189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA84CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSC-02H-1A-YJST AutomotiveAutomotive Connectors YELLOW CPA HOUSING
auf Bestellung 9962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
13+0.27 EUR
25+0.23 EUR
100+0.2 EUR
250+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSDO1920D3JCA/3.2*5SAMSANG1000/REEL
auf Bestellung 7470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSF-02-1AJST AutomotiveAutomotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE 0
auf Bestellung 11640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
10+0.36 EUR
25+0.32 EUR
100+0.27 EUR
250+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSKC-02H-1A-DJST AutomotiveAutomotive Connectors CPA (Orange)
auf Bestellung 12940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
15+0.24 EUR
25+0.2 EUR
100+0.18 EUR
250+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSKL-02H-2A-YJST AutomotiveAutomotive Connectors Cover HSG (A code yellow)
auf Bestellung 8127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
14+0.25 EUR
100+0.19 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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