Produkte > HS1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| HS1J F2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J F3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J M2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J M2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HS1J M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J M2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HS1J R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J R3 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | auf Bestellung 10530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J-K | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J-K M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1J-K R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JAL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 28000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | auf Bestellung 6145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JAL M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | auf Bestellung 6993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R | auf Bestellung 6200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JALH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 28000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JALH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JF-T | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMAF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMAF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JF-T M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 15260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | auf Bestellung 12025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 125 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | auf Bestellung 4384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HS1JFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | auf Bestellung 4384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HS1JFL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SOD-123FL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFS | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFS M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | auf Bestellung 6531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JFSH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 28000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHF2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | auf Bestellung 19975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 1542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1542 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 1542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1542 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLHRQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JLW | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JLW | Taiwan Semiconductor | Diode 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-123W Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123W Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-123W Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123W Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HS1JLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HS1JLWH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |