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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43R16320D-6TL-TRISSIDRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v
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IS43R16320D-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP
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IS43R16320D-6TLIISSIDRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R16320D-6TLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 32Mx16bit; 166MHz; 6ns; TSOP66 II; tube
Kind of package: tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 32Mx16bit
Kind of memory: SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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IS43R16320D-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP
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IS43R16320D-6TLI-TRISSIDRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v
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IS43R16320E-5BLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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IS43R16320E-5BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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IS43R16320E-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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IS43R16320E-5BLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS43R16320E-5BLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43R16320E-5TLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
auf Bestellung 28 Stücke:
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IS43R16320E-5TL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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IS43R16320E-5TLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
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IS43R16320E-5TLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
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IS43R16320E-6BIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) , IT
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IS43R16320E-6BI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) , IT, T&R
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IS43R16320E-6BLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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IS43R16320E-6BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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IS43R16320E-6BLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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IS43R16320E-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43R16320E-6TLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
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IS43R16320E-6TL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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IS43R16320E-6TLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
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IS43R16320E-6TLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
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IS43R16320E-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R16320F-5BLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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IS43R16320F-5BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IS43R16320F-5BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43R16320F-5BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Supply voltage: 2.5V DC
Access time: 5ns
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43R16320F-5BLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 189 Stücke:
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100+15.76 EUR
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IS43R16320F-5BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IS43R16320F-5BLI-TRISSIDRAM 512M 32Mx16 200MHz DDR 2.5V
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IS43R16320F-5TLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
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IS43R16320F-5TL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R16320F-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: SSTL_2
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R16320F-5TLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
auf Bestellung 139 Stücke:
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1+21.61 EUR
10+20.09 EUR
25+19.48 EUR
50+18.99 EUR
108+18.18 EUR
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IS43R16320F-5TLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IS43R16320F-5TLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-5TLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TWBGA60
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLISSIDRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V
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IS43R16320F-6BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TWBGA60
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TWBGA60
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLISSIDRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+14.79 EUR
25+14.35 EUR
50+13.99 EUR
108+13.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 167 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.63 EUR
10+6.91 EUR
25+6.76 EUR
40+6.72 EUR
108+6.03 EUR
324+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP66 II
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: SSTL_2
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLIISSIDRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.61 EUR
10+20.09 EUR
25+19.48 EUR
50+18.99 EUR
108+18.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP66 II
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 167 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLI-TRISSIDRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16320F-6TLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP66 II
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 6ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 512Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R16800A-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43R16800C-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP
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IS43R16800E-5TLISSIDRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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216+4.08 EUR
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1080+3.96 EUR
2592+3.92 EUR
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IS43R16800E-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 66TSOP
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IS43R16800E-5TL-TRISSIDRAM 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v
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IS43R16800E-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 66TSOP
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IS43R16800E-5TL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Operating temperature: 0...70°C
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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IS43R16800E-5TLIISSIDRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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1+6.15 EUR
10+5.55 EUR
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1080+4.58 EUR
2592+4.55 EUR
5076+4.4 EUR
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IS43R16800E-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 66TSOP
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IS43R16800E-5TLI-TRISSIDRAM 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v
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1+6.15 EUR
10+5.55 EUR
100+4.88 EUR
250+4.71 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.36 EUR
1500+4.24 EUR
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IS43R16800E-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
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IS43R16800E-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 66TSOP
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IS43R16800E-6TLISSIDRAM 128M (8Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R16800E-6TL-TRISSIDRAM 128M (8Mx16) 166MHz DDR 2.5v
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IS43R16800E-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 66TSOP
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IS43R16800E-6TLIISSIDRAM 128M (8Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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1+5.9 EUR
10+5.32 EUR
108+4.61 EUR
216+4.33 EUR
540+4.32 EUR
1080+4.21 EUR
2592+4.16 EUR
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IS43R16800E-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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IS43R16800E-6TLI-TRISSIDRAM 128M (8Mx16) 166MHz DDR 2.5v
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IS43R16800E-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 166MHZ 66TSOP
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IS43R32160D-5BLISSIDRAM 512Mb, 2.5V, 200MHz 16Mx32 DDR SDRAM
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IS43R32160D-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 144BGA
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IS43R32160D-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 144BGA
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IS43R32160D-5BL-TRISSIDRAM 512Mb, 2.5V, 200MHz 16M x 32 DDR
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IS43R32160D-5BLIISSIDRAM 512Mb, 2.5V, 200MHz 16Mx32 DDR SDRAM
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IS43R32160D-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 144BGA
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IS43R32160D-5BLI-TRISSIDRAM 512Mb, 2.5V, 200MHz 16M x 32 DDR2
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IS43R32160D-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 144BGA
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IS43R32400E-4BLISSIDRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R32400E-4BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 250MHZ 144BGA
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IS43R32400E-4BL-TRISSIDRAM 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v
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IS43R32400E-4BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 250MHZ 144BGA
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IS43R32400E-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 144BGA
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IS43R32400E-5BLISSIDRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz a. CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
auf Bestellung 152 Stücke:
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1+11.35 EUR
10+10.34 EUR
25+10.16 EUR
50+10.09 EUR
100+9.04 EUR
189+8.98 EUR
567+8.44 EUR
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IS43R32400E-5BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144
Mounting: SMD
Case: LFBGA144
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 1Mx32bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Supply voltage: 2.5V DC
Access time: 5ns
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R32400E-5BL-TRISSIDRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v
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IS43R32400E-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 144BGA
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IS43R32400E-5BLIISSIDRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R32400E-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 144BGA
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IS43R32400E-5BLI-TRISSIDRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v
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IS43R32400E-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 128M 200MHZ 144BGA
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R32800B-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR SDRAM 256MBIT 144FBGA
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 Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R32800B-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR SDRAM 256MBIT 144FBGA
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