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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43TR16256B-125KBLI-TRISSI512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43TR16256B-125KBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43TR16256B-125KBLI-TRISSI512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM
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IS43TR16256B-125KBLI.INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256B-125KBLI. - DRAM, 800MHZ, 4GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IS43TR16256BL-107MBLISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.14 EUR
10+15.92 EUR
25+15.43 EUR
50+15.08 EUR
100+14.36 EUR
190+13.99 EUR
570+13.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+60.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.35 EUR
10+17.04 EUR
25+16.52 EUR
50+16.12 EUR
190+15.36 EUR
380+14.98 EUR
570+14.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBL-TRISSI4Gb DDR3 SDRAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBL-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBL.INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBL. - DRAM, 933MHZ, 4GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IS43TR16256BL-107MBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16256BL-107MBLIISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
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IS43TR16256BL-107MBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IS43TR16256BL-107MBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.29 EUR
10+17.9 EUR
25+17.35 EUR
50+16.93 EUR
190+16.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+23.2 EUR
3000+22.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-107MBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+23.2 EUR
3000+22.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43TR16256BL-107MBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.62 EUR
10+44.14 EUR
25+42.74 EUR
50+41.7 EUR
190+39.71 EUR
380+38.7 EUR
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IS43TR16256BL-125KBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IS43TR16256BL-125KBLINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-125KBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.27 EUR
16+14.92 EUR
25+13.34 EUR
50+13.02 EUR
100+12.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLISSIDRAM 4GBIT PARALLEL TWBGA-96 Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+12.07 EUR
25+11.69 EUR
50+11.41 EUR
100+10.89 EUR
190+10.61 EUR
570+10.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBL-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBL-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35 EUR
10+32.45 EUR
25+31.44 EUR
50+30.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLI
Produktcode: 200404
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
auf Bestellung 5024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.28 EUR
10+17.01 EUR
25+16.48 EUR
50+16.09 EUR
100+15.66 EUR
190+14.93 EUR
570+14.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.29 EUR
12+20.1 EUR
25+17.97 EUR
50+17.54 EUR
100+17.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLIISSIDRAM 4GBIT PARALLEL TWBGA-96 Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.47 EUR
10+17.17 EUR
25+16.65 EUR
50+16.45 EUR
100+15.85 EUR
250+15.32 EUR
500+14.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256BL-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256ECL-125LB2LIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+26.12 EUR
25+25.31 EUR
50+24.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.58 EUR
10+65.28 EUR
25+63.19 EUR
50+61.62 EUR
100+60.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43TR16512A-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA
auf Bestellung 233 Stücke:
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IS43TR16512A-125KBLISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
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IS43TR16512A-125KBL-TRISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
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IS43TR16512A-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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IS43TR16512A-125KBLIISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
auf Bestellung 47 Stücke:
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IS43TR16512A-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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IS43TR16512A-125KBLI-TRISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
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IS43TR16512A-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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IS43TR16512A-15HBLISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1333MT/s,512Mx16
auf Bestellung 111 Stücke:
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IS43TR16512A-15HBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-LFBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16512A-15HBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-LFBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16512A-15HBL-TRISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1333MT/s,512Mx16
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IS43TR16512A-15HBLIISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1333MT/s,512Mx16, IT
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IS43TR16512A-15HBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-LFBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16512A-15HBLI-TRISSIDRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1333MT/s,512Mx16, IT
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IS43TR16512A-15HBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-LFBGA (10x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16512AL-125KBLINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512AL-125KBL - SDRAM, 512M x 16 Bit, 275ps, parallele Schnittstelle, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 275
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 800
Seitengröße: 2048
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IS43TR16512AL-125KBLISSIDRAM DDR3L,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IS43TR16512AL-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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IS43TR16512AL-125KBL-TRISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
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IS43TR16512AL-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA
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IS43TR16512AL-125KBLIISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
auf Bestellung 181 Stücke:
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IS43TR16512AL-125KBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512AL-125KBLI - SDRAM, 512M x 16 Bit, 275ps, parallele Schnittstelle, BGA-96
DRAM-Ausführung: DDR3L
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 275
Versorgungsspannung, nom.: 1.35
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 800
Seitengröße: 2048
Anzahl der Pins: 96
Produktpalette: IS43TR
Betriebstemperatur, max.: 95
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IS43TR16512AL-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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IS43TR16512AL-125KBLI-TRISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
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IS43TR16512AL-15HBLISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16
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IS43TR16512AL-15HBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IS43TR16512AL-15HBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43TR16512AL-15HBL-TRISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16
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IS43TR16512AL-15HBLIISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16, IT
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IS43TR16512AL-15HBLI-TRISSIDRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16, IT
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IS43TR16512B-107MBLISSIDRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
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IS43TR16512B-107MBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBL-TRISSIDRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512B-107MBLI - DRAM, DDR3, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+135.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBLIISSIDRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.15 EUR
10+39.98 EUR
25+39.1 EUR
50+38.14 EUR
100+36.44 EUR
272+35.5 EUR
544+34.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBLI-TRISSIDRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-107MBLI.INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512B-107MBLI. - DRAM, 933MHZ, 8GBIT, BGA-96
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.1 EUR
10+62.07 EUR
25+60.08 EUR
50+58.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.75ns; TWBGA96
Memory: 8Gb DRAM
Clock frequency: 933MHz
Supply voltage: 1.5V DC
Kind of memory: DDR3; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 13.75ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...95°C
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512B-125KBL - DRAM, DDR3, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+123.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLISSIDRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.83 EUR
10+60.93 EUR
25+58.98 EUR
50+57.51 EUR
100+55.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBL-TRISSIDRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s a. 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.75ns; TWBGA96
Memory: 8Gb DRAM
Clock frequency: 933MHz
Supply voltage: 1.5V DC
Kind of memory: DDR3; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 13.75ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLIISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.51 EUR
10+150.89 EUR
25+145.95 EUR
50+142.29 EUR
136+137.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16512B-125KBLIISSIDRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
Produkt ist nicht verfügbar
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IS43TR16512B-125KBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+56.72 EUR
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IS43TR16512B-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
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IS43TR16512B-125KBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s a. 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
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IS43TR16512B-125KBLI-TRISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA T/R
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