IS43TR16256BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details IS43TR16256BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256BL-107MBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 933MHz, Anzahl der Pins: 96Pin(s), euEccn: NLR, Speicherdichte: 4Gbit, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Betriebstemperatur, max.: 95°C, usEccn: EAR99, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256BL-107MBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Anzahl der Pins: 96Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 4Gbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 95°C usEccn: EAR99 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.91ns; TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Mounting: SMD Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 256Mx16bit Access time: 13.91ns Clock frequency: 1066MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Case: TWBGA96 Anzahl je Verpackung: 190 Stücke |
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IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA |
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IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA |
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IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA |
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IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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| IS43TR16256BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.91ns; TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Mounting: SMD Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 256Mx16bit Access time: 13.91ns Clock frequency: 1066MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Case: TWBGA96 |
Produkt ist nicht verfügbar |