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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS1P090ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P090ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.27 EUR
100+2.93 EUR
250+2.75 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P090ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 60A HSOP8
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.81 EUR
2500+2.62 EUR
5000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.68 EUR
100+3.28 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.66 EUR
100+3.52 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 100volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 100volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3/84AVISHAY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-E3/84A
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/84AVishayDiode Switching 200V 1A 2-Pin SMP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
34+0.63 EUR
100+0.39 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 200volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/84A
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PD-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 200volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
39+0.54 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PDHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-M3/84AVishayRectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 400volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PG-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 400volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHM3/85A
auf Bestellung 175014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHM3/85AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PGHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
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RS1PJ-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
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RS1PJ-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
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RS1PJ-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 600volt 1.0amp
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RS1PJ-M3/84AVishayDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMP T/R
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RS1PJ-M3/84A
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RS1R-B-07-G-SMT-T/RAdam TechDescription: FEMALE HEADER 2.54MM RA SMT 1*7P
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RS1R-B-07-G-SMT-T/RAdam TechHeaders & Wire Housings FEMALE HEADER 2.54MM RA SMT 1*7P GF H=8.5MM W=2.5MM TR
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RS1S-20D200-D32UIDECGeneral Purpose Relays 22mm200VDC/20A4-32VDCIN DC Out
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RS1S-30A600Z-AD280UIDECDescription: 22MM 600VAC/30A 280VAC IN
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RS1S-30A600Z-D32VIDECDescription: 22MM 600VAC/30A 4-32VDCIN CONT
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RS1S-35A600Z-D32UIDEC 22mm 600VAC/35A 4-32VDC IN
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RS1S-35A600Z-D32VIDECGeneral Purpose Relays 22mm 600VAC/35A 4-32VDCIN CONT
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RS1S-45A600Z-D32UIDEC 45mm 600VAC/45A 4-32VDC IN
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RS1S-60A600Z-D32UIDEC 45mm, 600VAC/60A, 4-32VDC IN
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RS1W15K5R
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RS1XYAGEODescription: RESISTOR KIT 10-97.6 1/4W 475PCS
Resistance (Ohms): 10 ~ 97.6
Power (Watts): 1/4W
Tolerance: ±1%
Packaging: Bag
Mounting Type: Through Hole
Quantity: 475 Pieces (95 Values - 5 Each)
Kit Type: Metal Film
Packages Included: Axial
Part Status: Active
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.35 EUR
10+86.3 EUR
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RS1\2111R0FB12Vishay / DaleWirewound Resistors - Through Hole 3/4watt 111ohms 1%
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.43 EUR
10+13.76 EUR
20+12.84 EUR
50+10.78 EUR
100+9.15 EUR
500+7.88 EUR
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RS1\2147R0JB12Vishay / DaleWirewound Resistors - Through Hole RS-1/2 147 5% B12
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RS1\2147R0JE12Vishay / DaleWirewound Resistors - Through Hole RS-1/2 147 5% E12 e3
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