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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS1MLWHRQGTaiwan SemiconductorRectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MLWHRVGTaiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MLWHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MLWHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MLWHRVGTaiwan SemiconductorRectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSP1-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STD 1000V 1A POWERDI123
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSP1-7Diodes IncorporatedRectifiers Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFDiodes IncorporatedRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWF-7Diodes ZetexRectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin SOD-123F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWF-7Diodes IncorporatedRectifiers 1.0A Fast Recovery Rect 1.1Vf 10uA
auf Bestellung 5834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWF-7Diodes ZetexRectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin SOD-123F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWF-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFM-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
40+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFM-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 4.7pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFM-7Diodes IncorporatedRectifiers Rapid GPP Rectifier SOD123F T&R 3K
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFM-7DiodesRS1MSWFM-7 DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFM-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFM-7Diodes ZetexDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFMQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
29+0.74 EUR
34+0.62 EUR
50+0.54 EUR
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFMQ-7Diodes ZetexDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFMQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFMQ-7Diodes IncorporatedRectifiers Rapid GPP Rectifier SOD123F T&R 3K
auf Bestellung 7181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.54 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFN-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFNQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFQ-7Diodes IncorporatedRectifiers 1.0A Fast Recovery 10uA Automotive
auf Bestellung 27171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFQ-7Diodes ZetexRectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin SOD-123F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.73 EUR
333+0.51 EUR
528+0.31 EUR
576+0.27 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MSWFQ-7Diodes ZetexRectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin SOD-123F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
auf Bestellung 580000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Leakage current: 5µA
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
auf Bestellung 581354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MTR-SMCSMC Diode SolutionsRS1MTR-SMC RS1MTR Діод: випрямний, SMD, 1кВ, 1А, 500нс, SMA, Ufmax: 1,3В, Ir: 5мкА Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MUXinnuo ElectronicsDescription: 1A/1000V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Capacitance @ Vr, F: 7.6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.001A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+45.86 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MW
auf Bestellung 131400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWFDiodes IncorporatedRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 14900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7DiodesSOD-123F, Fast Recovery, If=1A, Urrm=1000V, Uf=1.3V, -55...+150 Діоди та діодні збірки
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7Diodes ZetexDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1MWF-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
223+1.05 EUR
345+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7Diodes IncorporatedRectifiers 1.0A Fast Recovery 30A 1000V 700Vr
auf Bestellung 26828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.58 EUR
10+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 14947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1 EUR
26+0.83 EUR
50+0.73 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1MWF-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
223+1.05 EUR
345+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 240ns; SOD123F; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 240ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 1000V 1A SOD-123FL
auf Bestellung 8885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWF-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWG_R1_00001PanjitRectifiers PJ/RS1M/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1MWG_R2_00001PanjitRectifiers PJ/RS1M/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_HFDiodes ZetexRS1M_HF
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.082 EUR
15000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_Qonsemi / FairchildRectifiers 1000V 1a Fast Rect SMa
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_R1_00001PanJitDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
772+0.23 EUR
946+0.18 EUR
1238+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 772 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.29 EUR
102+0.2 EUR
117+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_R1_00001PanjitRectifiers 1000V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 86400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1M_R2_00001PanjitRectifiers 1000V Fast Recovery Rectifiers 1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1NApex Tool GroupWire Stripping & Cutting Tools SHEAR, INDUSTRIAL, OFFSET, RUG 8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1NApex Tool GroupDescription: SHEAR,RUG,OFFSET HDL,SHARP PT
Features: Nickel Plated
Packaging: Bulk
Tool Type: Shears (Scissors)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.31 EUR
57+3.11 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.89 EUR
50+2.99 EUR
100+2.69 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
2500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.28 EUR
57+3.02 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P090ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P090ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P090ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.27 EUR
100+2.93 EUR
250+2.75 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 60A HSOP8
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.81 EUR
2500+2.62 EUR
5000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+3.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.68 EUR
100+3.28 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 100volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 100volt 1.0amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PB-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3/84AVISHAY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1PBHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
Produkt ist nicht verfügbar
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RS1PD-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
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RS1PD-E3/84A
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RS1PD-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
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RS1PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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3000+0.19 EUR
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RS1PD-M3/84AVishayDiode Switching 200V 1A 2-Pin SMP T/R
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RS1PD-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 200volt 1.0amp
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RS1PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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34+0.63 EUR
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