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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIR182DP-T1-RE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
62+3.76 EUR
100+2.4 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
250+2.28 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR182LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.93 EUR
100+2.33 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 336474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 25227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
110+2.12 EUR
152+1.4 EUR
500+1.08 EUR
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.09 EUR
6000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 7150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
71+3.3 EUR
106+2.03 EUR
500+1.62 EUR
1500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 4082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
auf Bestellung 16661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.48 EUR
100+1.69 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR184LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
75+3.11 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 11262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.03 EUR
100+1.45 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
auf Bestellung 9920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.11 EUR
9000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.86 EUR
6000+0.8 EUR
9000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 9982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
93+2.51 EUR
140+1.54 EUR
500+1.24 EUR
1500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 87AJ3393
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 9356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
148+1.57 EUR
192+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
auf Bestellung 9766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
114+2.03 EUR
163+1.32 EUR
500+1.06 EUR
1500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
auf Bestellung 11677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.77 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.01 EUR
6000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
auf Bestellung 4623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
10+2.27 EUR
100+1.77 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
auf Bestellung 4623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.38 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.43 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.07 EUR
6000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 3750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3750µohm
auf Bestellung 3287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
73+3.2 EUR
105+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR188LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 3750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3750µohm
auf Bestellung 3287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
105+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR19-21C
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR19-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
auf Bestellung 35777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
27+0.8 EUR
100+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR19-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.39 EUR
8000+0.37 EUR
20000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR19-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR19-21C/TR8EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 145°; 875nm; SMD; 20mA; 0.2mW/sr; 1.3V
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Viewing angle: 145°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: SMD
LED current: 20mA
radiant intensity: 0.2mW/sr
Case - inch: 0603
Operating voltage: 1.3V
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SIR19-21C/TR8EVERLIGH2010+ LED
auf Bestellung 38000 Stücke:
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SIR19-315
auf Bestellung 150 Stücke:
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SIR19-315/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
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 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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SIR19-315/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 870NM 70MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 870nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Viewing Angle: 140°
Current - DC Forward (If) (Max): 70mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA
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 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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SIR1B6B4Littelfuse Inc.Description: SSR RELAY SPST-NC 6A 0-120V
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 150VAC/DC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Load Current: 6 A
Approval Agency: UR
Voltage - Load: 0 V ~ 120 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.88 EUR
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SIR1B6B4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY
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SIR1C20B6LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY
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SIR2N/A09+ SOP8
auf Bestellung 1200 Stücke:
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SIR204-AEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIR204-AEverlightInfrared Emitters Infrared LED Lamp
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SIR204-AEVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; 3mm; blue; 30°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 4mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 3mm
LED lens: blue
Viewing angle: 30°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 4mW/sr
Operating voltage: 1.3V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SIR204-A
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIR204CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
27+0.79 EUR
100+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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SIR204CEverlightInfrared Emitters Infrared LED
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SIR2167
auf Bestellung 12060 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR234Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR234EverlightInfrared Emitters Infrared LED
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SIR25-15-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2916.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR25-15-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3035.92 EUR
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SIR2A20A4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+219.8 EUR
10+202.19 EUR
25+190.29 EUR
50+180.43 EUR
100+174.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR2A20A4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIR2B20A4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+197.94 EUR
25+172.07 EUR
50+167.89 EUR
100+164.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR2B20A4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED
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SIR2B20B4LittelfuseSolid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
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SIR2B20B4Littelfuse Inc.Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V
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SIR300B
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR312-24VDCELESTA RelaysPCB Power Relay
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+49.87 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR312-24VDCELESTA RelaysPCB Power Relay
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+49.6 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR3123
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIR312P-24VDCELESTA RelaysPower Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+56.05 EUR
10+53.88 EUR
25+51.71 EUR
100+49.83 EUR
500+48.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR312P-24VDCELESTA RelaysPower Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+56.36 EUR
10+53 EUR
25+50.06 EUR
100+47.45 EUR
500+45.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR314M200S043NextGen ComponentsDescription: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 314.2 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR315M000S041NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR315M000S042NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Frequency Tolerance: ±75kHz
Height: 0.059" (1.50mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: SAW
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency: 315 MHz
Impedance: 50 Ohms
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR315M000S043NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR315M050S042NextGen ComponentsDescription: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.05 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR315M500S042NextGen ComponentsDescription: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.5 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR318M000S041NextGen ComponentsDescription: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR318M000S042NextGen ComponentsDescription: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR323-5Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 35°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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