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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK3510-Z-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3510-Z-E1-AZRenesasTrans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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79+8.43 EUR
100+7.89 EUR
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2SK3510-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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63+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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2SK351107+ SMD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3511-AZRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220
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2SK3511-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3511-S19-AYRenesasSwitching N-Channel Power MOS FET
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99+6.72 EUR
104+6.31 EUR
500+5.83 EUR
1000+5.39 EUR
10000+5 EUR
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2SK3511-S19-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3511-S19-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+6.9 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-Z-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3511Z
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2SK352
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SK3520-01MR-MYFUJI-ELECTTO-220 07+
auf Bestellung 1642 Stücke:
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2SK3521-01S-TE24R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2SK3523-01R
Produktcode: 188609
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3523-01RFUJI05+06+
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2SK3527-01Fuji ElectricТранзистори
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2SK3528-01RFUJI05+06+
auf Bestellung 158500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3528-01R
Produktcode: 189684
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK352D
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK353FUJI
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK353-900L
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3531-01FUJI05+06+
auf Bestellung 42000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3532
Produktcode: 162250
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3532-01MRFUJI05+06+
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3532-01MR
Produktcode: 51554
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3533-01FUJI
auf Bestellung 2100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3535-01
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK353900LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SMini3-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3539G0LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SMini3-F2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V
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2SK354
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541HITACHI
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3541ROHM SemiconductorMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541 T2LROHM09+ROHS T2LSOT-7
auf Bestellung 192000 Stücke:
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2SK3541-T2LROHM03+ SC70-3
auf Bestellung 16000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541-T2RROHM SemiconductorMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541FST2LROHMVMT3
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2LRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 16699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2LROHMDescription: ROHM - 2SK3541T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2LRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.14 EUR
16000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2LROHMDescription: ROHM - 2SK3541T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2LROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V .1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2LRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3546G0LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SSMini3-F3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3546J0LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SSMINI3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SSMini3-F1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3546J0LPANASONICSOT23/SOT323
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3546JOLPANASONICSOT23
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3547PANASONIC09+
auf Bestellung 479918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3547/2SK354700LS0PANASONIC07+ SOT-523
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK354700LPANASONIC05+NOP
auf Bestellung 12467 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK354700LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK354700LS0PANASONIC05+ SOT-523
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3547G0LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SSSMini3-F2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3548
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3548
Produktcode: 105044
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FujiTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3548-O1FUJITO-3P
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK354A
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK355
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3550
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3554
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3554-01
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3556-01S
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3556-01S-TB24RTOSHIBA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3556-01S-TE24R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557onsemi NCH J-FET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557On SemiconductorТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EonsemiDescription: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EON Semiconductor
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2151+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EonsemiDescription: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
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16+1.38 EUR
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2SK3557-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EonsemiJFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
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2SK3557-6-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-EXonsemiDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2SK3557-7-TB-EON Semiconductor
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2SK3557-7-TB-EonsemiDescription: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
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16+1.38 EUR
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50+0.63 EUR
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2SK3557-7-TB-EonsemiJFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SK3557-7-TB-EONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 16mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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2SK3557-7-TB-EON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
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2SK3557-7-TB-EonsemiDescription: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
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3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SK3557-7-TB-EXonsemiDescription: 0.05A, N-CHANNEL, JFET, TO-236AB
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Voltage - Test: 5 V
Voltage - Rated: 15 V
Supplier Device Package: 3-CP
Noise Figure: 1dB
Technology: JFET
Configuration: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 50mA
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Test: 1 mA
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2SK356TOSHIBA
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2SK3561ToshibaMOSFETs N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
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2SK3561TOS
auf Bestellung 12500 Stücke:
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2SK3561(LBS1CANOQMToshibaMOSFET
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2SK3561(Q)ToshibaMOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
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2SK3561(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 600 Stücke:
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20+11.92 EUR
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2SK3561(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
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2SK3561(S5TOJS,A,QToshibaMOSFET
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2SK3561(Transistor)
Produktcode: 72042
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2SK3561,LS1MATUQ(JToshibaMOSFET
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2SK3561,S4MURATQ(MToshibaMOSFET
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2SK3561,S5MDNSIQ(JToshibaMOSFET
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2SK3561,S5MDNSIQ(MToshibaMOSFET
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2SK3561,S5MURATQ(JToshibaMOSFET
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