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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SMUN5115DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
31+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5115DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5115DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5115T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.069 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5115T1GonsemiDigital Transistors 10kO, 8 kO PNP Bias Resistor Transistor (BRT) 10kO
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5115T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
75+0.29 EUR
153+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5115T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC70 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5116DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5116DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5116DW1T1G
auf Bestellung 291000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 17990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
35+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5131DW1T1GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5131DW1T1GONN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 14526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
625+0.13 EUR
973+0.088 EUR
1296+0.065 EUR
1462+0.058 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
36+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1G-M02ONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5133T1G-M02 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5133T1G-M02onsemiDescription: SMUN5133 - DIGITAL BJT PNP - PRE
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1G
auf Bestellung 774000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1G-NConsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211DW1T1G-NConsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN SC70-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1onsemiDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5211T1 - TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8013+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
95+0.23 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3ONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5211T3 - MUN5211 - TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5211T3GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.069 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5212T1GonsemiDigital Transistors SS BRT NPN 50V PB FR
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
75+0.29 EUR
153+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213DW1T1G
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 6534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.094 EUR
15000+0.087 EUR
21000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 29156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
90+0.24 EUR
145+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5213T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1205+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 38520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.49 EUR
100+0.27 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.088 EUR
9000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213T1G
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5213T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5213T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1205+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.36 EUR
309+0.27 EUR
368+0.23 EUR
463+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
auf Bestellung 30464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
390+0.64 EUR
633+0.37 EUR
1334+0.17 EUR
1695+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
5000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.094 EUR
15000+0.088 EUR
21000+0.084 EUR
30000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
633+0.37 EUR
1334+0.17 EUR
1695+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
5000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214DW1T1GOSCTOn SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN5214 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
547+0.45 EUR
893+0.26 EUR
1427+0.15 EUR
1965+0.11 EUR
2213+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
90+0.24 EUR
144+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GonsemiDigital Transistors SS SC70 BR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 13770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN5214 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
547+0.45 EUR
893+0.26 EUR
1427+0.15 EUR
1965+0.11 EUR
2213+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
424+0.2 EUR
481+0.18 EUR
719+0.12 EUR
860+0.099 EUR
1263+0.068 EUR
1458+0.058 EUR
1500+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.064 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5214T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1583971 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5215T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC70 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5215T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 8999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5216DW1T1GON Semiconductor
auf Bestellung 5950 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5216DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 7033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.44 EUR
12+0.29 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.086 EUR
9000+0.075 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5216DW1T1G-M02onsemiDescription: DUAL NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
981+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 981 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.088 EUR
9000+0.083 EUR
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5230DW1T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5230DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR DUAL 50V
auf Bestellung 5359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5230DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.48 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.082 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5231DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5231DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
955+0.089 EUR
1025+0.083 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5231DW1T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bias Resistor Transistor (BRT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
10+0.38 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.094 EUR
9000+0.075 EUR
24000+0.071 EUR
45000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5231DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5232DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 4620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5232DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5232DW1T1GONN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5232DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
31+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMUN5232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC70-3
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
38+0.56 EUR
100+0.3 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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