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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DTC114EKROHM09+
auf Bestellung 483038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTC114EK FRAT146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 750 Stücke:
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DTC114EK HRAT146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2740 Stücke:
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DTC114EK T146ROHMSOT23-24
auf Bestellung 3565 Stücke:
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DTC114EK/24ROHM03+ SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAROHM07+ SOT-23
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
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DTC114EKABLUE ROCKETPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-23 Транзистори
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DTC114EKA F T146ROHMSOT23-24 PB-FREE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKA T146ROHM - JapanNPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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DTC114EKA(24)ROHM01+ SOT-23
auf Bestellung 39999 Stücke:
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DTC114EKA-T146ROHMSOT23
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-23-3L
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DTC114EKA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114EKA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3L
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114EKA/24ROHM
auf Bestellung 36203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAFROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAF T146ROHMSOT23-24 PB-FREE
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAFSROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DTC114EKAFT146ROHM05+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAFT146SOT23-24PB-FREEROHM
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAHRAROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAMHT146ROHMSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKASOT23-24
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 135012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
844+0.2 EUR
1299+0.13 EUR
1731+0.096 EUR
1965+0.083 EUR
3031+0.054 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 844 Stücke
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DTC114EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 83075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
81+0.26 EUR
131+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DTC114EKAT146RohmSC-59, PBF Транзистори
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DTC114EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
496+0.5 EUR
807+0.29 EUR
1296+0.17 EUR
1752+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 496 Stücke
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DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 78012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
474+0.37 EUR
851+0.2 EUR
1323+0.12 EUR
1746+0.089 EUR
1981+0.075 EUR
3059+0.046 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
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DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.067 EUR
21000+0.064 EUR
30000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114EKAT146
Produktcode: 61361
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 89637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1670+0.1 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.095 EUR
10000+0.09 EUR
25000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1670 Stücke
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DTC114EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA
auf Bestellung 17480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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DTC114EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.5 EUR
807+0.29 EUR
1296+0.17 EUR
1752+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTC114EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
363+0.24 EUR
428+0.2 EUR
699+0.12 EUR
873+0.098 EUR
1142+0.075 EUR
1356+0.063 EUR
1568+0.055 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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DTC114EKHRAT146ROHMSOT23
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EKT146ROHM SemiconductorArray
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DTC114EKT146SOT23-24ROHM
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114ELTESE-JYSOT23
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EMROHM10+ SOT-723
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EM G T2LROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EM T2LROHMSOT23
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EM-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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DTC114EM3T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 5654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.71 EUR
575+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1237+0.18 EUR
1573+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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DTC114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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DTC114EM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 14614 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 35...60
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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DTC114EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 5654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.71 EUR
575+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1237+0.18 EUR
1573+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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DTC114EMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1593+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.1 EUR
10000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 1593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 11285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMHZGT2LRohm SemiconductorDTC114EMHZGT2L
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
145+0.14 EUR
166+0.13 EUR
197+0.11 EUR
250+0.096 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.087 EUR
2500+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101
auf Bestellung 6486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
8000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 61567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+0.39 EUR
712+0.24 EUR
967+0.18 EUR
1174+0.14 EUR
2000+0.11 EUR
8000+0.084 EUR
16000+0.082 EUR
24000+0.08 EUR
40000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 50MA
auf Bestellung 11158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 63567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5292+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 5292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 13623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 15229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.096 EUR
2500+0.093 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESAROHM
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA TPROHMTO92
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-APMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATPRohmТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATP (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 37807
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EUROHMSOT323
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU
Produktcode: 171895
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU FRAT106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 5551 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU T106ROHMSOT23
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.49 EUR
599+0.29 EUR
973+0.17 EUR
1294+0.12 EUR
1484+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
625+0.37 EUR
1058+0.2 EUR
1435+0.15 EUR
1616+0.13 EUR
5000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.29 EUR
977+0.18 EUR
990+0.17 EUR
1325+0.12 EUR
2208+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 6007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
625+0.37 EUR
1058+0.2 EUR
1435+0.15 EUR
1616+0.13 EUR
5000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.29 EUR
977+0.17 EUR
1325+0.12 EUR
2208+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EU3HZGT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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