Produkte > ROHM > DTC114ESA TP

DTC114ESA TP ROHM



Hersteller: ROHM
TO92
auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DTC114ESA TP ROHM

Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SC-72 Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SPT, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Weitere Produktangebote DTC114ESA TP

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DTC114ESATP Rohm dtc114ee.pdf description Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATP DTC114ESATP Rohm Semiconductor dtc114ee.pdf description Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATP ROHM Semiconductor 105821-1201482.pdf description Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-TP Micro Commercial Components (MCC) Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATP description dtc114ee.pdf
Hersteller: Rohm
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATP description dtc114ee.pdf
DTC114ESATP
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESATP description 105821-1201482.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114ESA-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH