Produkte > NVT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| NVTFS5C453NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL | auf Bestellung 3798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLWFETAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 107A, 3.1m | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF | auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 29327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 68W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | auf Bestellung 9407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 16455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL | auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 55W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF | auf Bestellung 3993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 55W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NVTFS5C460NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C460NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C460NLWFTAG | ONN | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NVTFS5C460NLWFTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | On Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0073 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL | auf Bestellung 4379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm | auf Bestellung 1095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL | auf Bestellung 2731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFETAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 7.3m | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 367-371 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 16164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF | auf Bestellung 1522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 7400 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C471NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C471NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 7400 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL | auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL | auf Bestellung 1001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLTAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF | auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C478NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 109 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 114 Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL | auf Bestellung 23845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL | auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF | auf Bestellung 1258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLWFTAG | ONN | auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF | auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 114W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | onsemi | MOSFET T6 60V NCH LL U8FL | auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C670NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5C670NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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