Produkte > sPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SPB106-AP-1 | H&D Wireless | WIFI BRD W/RF ANTENNA 802.11B/G | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB106-AP-1 | H&D Wireless AB | Description: WIFI BRD W/RF ANTENNA 802.11B/G Part Status: Active Supplied Contents: Board(s) Type: Transceiver; 802.11 b/g (Wi-Fi, WiFi, WLAN) Frequency: 2.4GHz For Use With/Related Products: HDG104 Packaging: Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB10N03L | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB10N10 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10G | INF | 08+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10L | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10L G | INF | TO-263 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB10N10LG | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB10N10LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V | auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB11N60C2 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60C2 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60C3 Produktcode: 113946
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SPB11N60C3 | INFINEON | TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 7245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB11N60C3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPB11N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB11N60C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60C5 | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB11N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS S5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60S5 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB11N80C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-10PSW | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-10PSW | Amphenol Aerospace | Circular MIL Spec Connector SPB 10C 10#20 PI N/SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-10PSX | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-10PSX | Amphenol Industrial | Circular MIL Spec Connector SPB 10C 10#20 PI N/SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-3PS | Amphenol Aerospace | Circular MIL Spec Connector SPB 3C 3#16 PIN/ SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-4PSW | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 4C 4#16 PIN/SKT RECP Housing Color: Olive Housing Material: Aluminum Mounting Feature: Flange Connector Style: Standard Fastening Type: Bayonet Lock Convert To (Adapter End): Male Pins Convert From (Adapter End): Female Sockets Shielding: Unshielded Mounting Type: Panel Mount Packaging: Bulk Primary Material: Metal Part Status: Active Number of Positions (Convert To): 4 Number of Positions (Convert From): 4 Shell Size - Insert (Convert To): 12-4 Shell Size - Insert (Convert From): 12-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-4PSW | Amphenol Industrial | Circular MIL Spec Connector SPB 4C 4#16 PIN/ SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-8PSX | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 8C 8#20 PIN/SKT RECP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-8PSX | Amphenol Aerospace | Circular MIL Spec Connector SPB 8C 8#20 PIN/SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-8PSY | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 8C 8#20 PIN/SKT RECP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-8PSY | Amphenol Aerospace | Circular MIL Spec Connector SPB 8C 8#20 PIN/SKT RECP | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-98PS | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 10C 10#20 PIN/SKT RECP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-R40 | TDK | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12-R80 | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB12075(10uH) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB12N50C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 11.6A D2PAK-2 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB12R80 | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB1308-R21M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.21uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R21M | Bourns | Power Inductors - SMD Ind,13.5x13x8mm,210nH+/-20%,50A,shd | auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R21M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 210NH 50A SHLD Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 210 nH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 71A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R21M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R21M - Leistungsinduktivität (SMD), 210 nH, 50 A, Geschirmt, 71 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 210nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 71A Produktlänge: 13.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 13mm | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R21M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.21uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R21M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 210NH 50A SHLD Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 71A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 210 nH | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R21M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.21uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB1308-R21M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R21M - Leistungsinduktivität (SMD), 210 nH, 50 A, Geschirmt, 71 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 210nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm isCanonical: Y RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 71A Produktlänge: 13.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 13mm | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R26M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R26M - Leistungsinduktivität (SMD), 260 nH, 50 A, Geschirmt, 60 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 260nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 60A Produktlänge: 13.5mm euEccn: NLR Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: No Produktbreite: 13mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R26M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 260NH 50A SHLD Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 260 nH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 60A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R26M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R26M - Leistungsinduktivität (SMD), 260 nH, 50 A, Geschirmt, 60 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 260nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 60A Produktlänge: 13.5mm euEccn: NLR Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 13mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R26M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.26uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB1308-R26M | Bourns | Power Inductors - SMD Ind,13.5x13x8mm,260nH+/-20%,50A,shd | auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R26M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 260NH 50A SHLD Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 260 nH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 60A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R32M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 320NH 50A SHLD Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 320 nH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 50A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R32M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.32uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB1308-R32M | Bourns | Power Inductors - SMD Ind,13.5x13x8mm,320nH+/-20%,50A,shd | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R32M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R32M - Leistungsinduktivität (SMD), 320 nH, 50 A, Geschirmt, 50 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 320nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm isCanonical: Y RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 50A Produktlänge: 13.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 13mm | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R32M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 320NH 50A SHLD Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 50A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 320 nH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R32M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R32M - Leistungsinduktivität (SMD), 320 nH, 50 A, Geschirmt, 50 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 320nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 50A Produktlänge: 13.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 13mm | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R44M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 440NH 50A SHLD DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 440 nH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 35A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB1308-R44M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.44uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R44M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R44M - Leistungsinduktivität (SMD), 440 nH, 50 A, Geschirmt, 35 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 440nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 35A Produktlänge: 13.5mm euEccn: NLR Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 13mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R44M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.44uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB1308-R44M | Bourns Inc. | Description: IND POWER BEAD 440NH 50A SHLD Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 35A DC Resistance (DCR): 0.35mOhm Max Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 50 A Inductance: 440 nH Part Status: Active Size / Dimension: 0.531" L x 0.512" W (13.50mm x 13.00mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R44M | Bourns | Power Inductors - SMD Ind,13.5x13x8mm,440nH+/-20%,50A,shd | auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB1308-R44M | BOURNS | Description: BOURNS - SPB1308-R44M - Leistungsinduktivität (SMD), 440 nH, 50 A, Geschirmt, 35 A, SPB1308 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 440nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 350ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 50A Sättigungsstrom (Isat): 35A Produktlänge: 13.5mm euEccn: NLR Produktpalette: SPB1308 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 13mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB1308-R44M | Bourns | Inductor Power Bead Shielded Wirewound 0.44uH 20% 100KHz Ferrite 50A 0.00035Ohm DCR T/R | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB14-15PSX | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 15C 19#20 PIN/SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB14-15PSY | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 15C 19#20 PIN/SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB14-18PSW | Amphenol Industrial Operations | Description: SPB 18C 18#20 PIN/SKT RECP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB14-19PS | AMPHENOL INDUSTRIAL | Description: AMPHENOL INDUSTRIAL - SPB14-19PS - Rundsteckverbinder, SP Series, MIL-DTL-26482 Serie I, Buchse mit Schottverschraubung, Durchführung tariffCode: 85369010 Einsatzanordnung: 14-19 rohsCompliant: NO hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Kontaktmaterial: Kupferlegierung Verschluss: Bajonett isCanonical: Y Steckverbinderüberzug: Harteloxiert, nichtleitend usEccn: EAR99 Rotation des Steckverbindereinsatzes: N Anzahl der Kontakte: 19Kontakt(e) euEccn: NLR Kontaktüberzug: Gold Rundsteckverbinderkontakt: Lötstift/-buchse Rundsteckverbindergehäuse: Buchse mit Schottverschraubung, Durchführung Entsprechende Militärspezifikation: MIL-DTL-26482 Serie I Produktpalette: SP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Aluminiumlegierung Nutzungsklasse: Unter Druck stehend SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB160100 | Microsemi | Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB160100E3 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 100V 160A SOT227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB160N04S2-03 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB160N04S2-03 - SPB160N04 OPTLMOS, 160A, 40V, 0.0029OHM tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB160N04S2-03 | Infineon Technologies | Description: 160A, 40V N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7320 pF @ 25 V | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB160N04S2-03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB160N04S203CTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7320 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB160N04S2L-03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB160N04S2L03DTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB16N04S2-03 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SPB16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 16A D2PAK-2 CoolMOS C3 | auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB16N50C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB16N50C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB16N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB17N80C2E3045 | Infineon | 800 В 17 A 0,29 Ом 100 Вт D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB17N80C3 Produktcode: 37324
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| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/88 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| SPB17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 | auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB17N80C3 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPB17N80C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPB17N80C3 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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