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SPB17N80C3

SPB17N80C3 Infineon

spb17n80c3_rev25_ratio-48451.pdf
Produktcode: 37324
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/88
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
13+6.56 EUR
25+5.89 EUR
100+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.7 EUR
25+8.2 EUR
50+7.72 EUR
100+7.29 EUR
250+6.96 EUR
500+6.68 EUR
1000+6.35 EUR
2500+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+6.51 EUR
100+4.86 EUR
500+4.19 EUR
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SPB17N80C3 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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SPB17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
auf Bestellung 180 Stücke:
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SPB17N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB17N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
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SPB17N80C3
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
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15 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-15KR-Hitano) (S)
Produktcode: 13791
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CR-S_080911.pdf
15 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-15KR-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 15 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1058 St.
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auf Bestellung: 4916 St.
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300 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-300KR-Hitano)
Produktcode: 11155
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CR-S_080911.pdf
300 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-300KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 300 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1199 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT41
Produktcode: 4263
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description bat41-vishay.pdf
BAT41
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-35
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 0,1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,4 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 0,75 А
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3863 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.11 EUR
100+0.081 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4119
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 38800 St.
  • 38800 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2431
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EXR_080421.pdf
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 3099 St.
  • 3099 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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