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SPB17N80C3 Infineon


Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
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Technische Details SPB17N80C3 Infineon

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 227W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Drain current: 17A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 800V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-3.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
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SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
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SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
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SPB17N80C3 infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf
SPB17N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB17N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
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