SPB17N80C3 Infineon
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
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Technische Details SPB17N80C3 Infineon
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 17A, Power dissipation: 227W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™.
Weitere Produktangebote SPB17N80C3 nach Preis ab 2.85 EUR bis 8.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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SPB17N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
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SPB17N80C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPB17N80C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
auf Bestellung 1336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPB17N80C3 Produktcode: 37324
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Hersteller : Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak Uds,V: 800 Idd,A: 11 Rds(on), Ohm: 0.25 Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88 JHGF: SMD |
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| SPB17N80C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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