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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
AOU1N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 T/R
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AOU1N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
AOU2N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.48 EUR
176+ 0.41 EUR
193+ 0.37 EUR
204+ 0.35 EUR
500+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 151
AOU2N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
AOU2N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOU2N60 TAOU2n60
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40
AOU2N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.48 EUR
176+ 0.41 EUR
193+ 0.37 EUR
204+ 0.35 EUR
500+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 151
AOU2N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251
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AOU2N60ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOU2N60 TAOU2n60
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
AOU2N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251
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AOU2N60AAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251
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AOU2N60AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
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AOU2N60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
AOU3N50Alpha & Omega Semiconductor
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU3N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.56 EUR
20+ 1.35 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 17
AOU3N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
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AOU3N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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AOU3N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
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AOU3N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251
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AOU3N60_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
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AOU400AO
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU404
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU405
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU414AO04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU436
auf Bestellung 7340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU438
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU448
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU452
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU472
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOU4N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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AOU4N60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
AOU4N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.31 EUR
14+ 1.88 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 12
AOU4N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
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AOU4N60
Produktcode: 161901		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
AOU4S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
AOU7S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
Produkt ist nicht verfügbar
AOU7S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
AOU7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
AOU7S65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 40V N-CHANNEL ALPHASGT T
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 40V N-CHANNEL ALPHASGT T
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOUS66416Alpha & Omega SemiconductorTrench Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66416Alpha & Omega SemiconductorTrench Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.48 EUR
10+ 3.12 EUR
100+ 2.43 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8
AOUS66616Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66616Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66616Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66620Alpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66920Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A ULTRASO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: UltraSO-8™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
AOUS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A ULTRASO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: UltraSO-8™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar